История развитие растрового электронного микроскопа

Растровый электронный микроскоп является одним из наиболее универсальных приборов для исследования и анализа микроструктурных характеристик твёрдых тел. Основной причиной широкого использования растрового электронного микроскопа является высокое разрешение при исследовании массивных объектов, достигающее в серийных приборах 10 нм (100Ǻ). На лучших лабораторных приборах реализовано разрешение 2,5 нм (25Ǻ). Другой важной чертой получаемых с помощью растрового электронного микроскопа изображений является их объёмность, обусловленная большой глубиной фокуса прибора.

Микрофотография радиолярии, полученная в оптическом микроскопе.

Основными частями растрового электронного микроскопа являются система линз, электронная пушка, коллектор электронов. Электронно-лучевые трубки (ЭЛТ) для наблюдения и съёмки и связанная с ними система электроники.

Рисунок - Схема электронной и рентгеновский оптики комбинированного прибора РЭМ—РМА. 1 — катод: 2 — модулятор; 3 — анод: 4 — ограничивающая диафрагма; 5 — первая конденсорная линза; 6 — вторая конденсорная линза; 7 — катушка двойного отклонения; 8 — стигматор; 9 — конечная (объективная) линза; 10 — диафрагма, ограничивающая размер пучка; 11 — детектор рентгеновского излучения (кристалл-дифракционный или с дисперсией по энергии); 12 — усилитель фотоумножителя, 13 — генераторы развертки; 14 — образец; 15 — детектор вторичных электронов; 16 — к катушке двойного отклонения; 17—управление увеличением; 18—ЭЛТ.