Термокомпенсация изменений режима производится с помощью нелинейных элементов, параметры которых зависят от температуры определенным образом:
· терморезисторы,
· полупроводниковые диоды,
· транзисторы.
У терморезистора большой отрицательный ТКС – около 3% / град. Его можно включить в цепь без базового делителя, вместо Rб2:
при повышении температуры сопротивление Rб2 уменьшается, при этом уменьшается Uб.0, а следовательно и ток Iк. Можно не только обеспечить неизменность Iк.0, но и получить “перекомпенсацию”: уменьшение Iк.0 с ростом температуры, т.е. S<0. | |||
VD1 - для компенсации сдвига входной характеристики (DUбэ), а диод VD2 - для компенсации изменения обратного тока DIкб.0. В интегральных схемах для термокомпенсации вместо диода включают эмиттерный переход транзистора. | |||
Лучшие результаты при термокомпенсации дает применение в качестве термочувствительного элемента полупроводникового диода, включенного в прямом направлении. Напряжения на диоде и переходе база-эмиттер имеют близкие температурные коэффициенты, у них одинаковая тепловая инерционность.