Kio=Rr/(Rr+h11б)*h21б*Rк/(Rк+Rн) меньше 1.
Частотные свойства каскада
В области верхних частот усиление снижается из-за снижения коэффициента aдиф(jw)=a0/1+jwta и влияния паразитных емкостей (Свых.т + Сн).
Емкость Свых.т=Ск/(1– gэh21б).
Постоянная времени в области верхних частот
tB=ta/(1– gэh21б)+Rк.н(Ск/(1– gэh21б) + Сн),
а верхняя граничная частота
fB=1/2ptB.
Каскад с ОБ обладает более широкой полосой частот, чем каскад с ОЭ, т.к. ta<<tb, Ск<<C*к.
Чем больше Rr, тем меньше gэ=rб/(Rr+ rэ.диф+rб) и тем шире полоса частот (fB).
При Rr®0 полоса сужается, приближаясь к полосе усилителя с ОЭ.
Каскад с ОК. Эмиттерный повторитель
По переменному току коллектор на общей шине - через источник Uп, емкость Сбл.
Нагрузка включена в цепь эмиттера. Делитель Rб1, Rб2 создает потенциал базы Uэ.о. меньше на величину Uбэ=0.25В для Ge (0.75В для Si).
Выходное напряжение совпадает по фазе с входным и близко к нему по величине.
Сравнительно большое r*к.диф (@ 10 кОм) шунтируется небольшим сопротивлением Rэ.н = Rэ || Rн. Поэтому в дальнейшем можно пренебречь r*к. диф .