2015-05-14
547
1. Собрать схему исследования транзистора, изображенную на рисунке 11. Для исследования используется транзистор, принятый в первой части работы.
Рис. 11
2. Построить таблицу результатов измерений для построения входных характеристик транзистора, включенного по схеме с общей базой (Таблица 3)
Таблица 3
| Iэ(мА), А1 | ||||||||
| Uкб=0B, V2 | Uэб(В), V1 | |||||||
| Uкб=15B, V2 | Uэб(В), V1 |
3. Установить на источнике напряжения Е (вольтметр V2) напряжение UКб=0 В
4. Изменяя значение тока источника I1 от 1 до 20 мА, записать соответствующие значения напряжения UЭБ (вольтметрV1) в таблицу.
5. Повторить измерения при выходном напряжении UКБ=15 В.
6. Построить таблицу результатов измерений для построения выходных характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (Таблица 4)
Таблица 4
| Uкб (В), V2 | ||||||||
| Iэ=0мА, А1 | Iк (мА), А2 | |||||||
| Iэ=2мА, А1 | Iк (мА), А2 | |||||||
| Iэ=4мА, А1 | Iк (мА), А2 | |||||||
| Iэ=8мА, А1 | Iк (мА), А2 |
7.Установить на источнике тока I1 ток IЭ=0 мА
8. Изменяя значение напряжения источника э.д.с. E от 0 до 20 В, записать соответствующие значения тока IК (амперметр А2) в таблицу.
9. Повторить измерения при входных токах базы IЭ, указанных в таблице.
10. По результатам измерений построить входные и выходные характеристики транзистора с общей базой, используя пакет Mathcad (рис.12 и 13).
11. Сделать вывод. Вывод должен содержать описание теоретических положений, подтвержденных экспериментально в процессе выполнения работы.
Рис. 12. Входные характеристики
Рис. 13. Семейство выходных характеристик.
Лабораторная работа «Снятие статических характеристик полевого транзистора с управляющим р-n- переходом. »
Цель работы: Снятие и анализ стоко-затворных и стоковых характеристик полевого транзистора. Определение крутизны характеристики и активной выходной проводимости.
