2015-05-14
844
1. Собрать схему исследования транзистора, изображенную на рисунке 8. Для исследования используется транзистор в соответствии с вариантом или по указанию преподавателя.
Рис.8
2. Построить таблицу результатов измерений для построения входных характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (Таблица 1)
Таблица 1
| Входной ток, IБ, мкА, А1 | ||||||||||
| Входное напряжение, UБЭ, мВ, V1 при UКЭ1=0 В, V2 | ||||||||||
| Входное напряжение, UБЭ, мВ, V1 при UКЭ2=15 В, V2 |
3. Установить на источнике напряжения Е (вольтметр V2) напряжение UКЭ1=0 В
4. Изменяя значение тока источника I1 от 1 до 500 мкА, записать соответствующие значения напряжения UБЭ (вольтметрV1) в таблицу.
5. Повторить измерения при выходном напряжении UКЭ2=15 В.
6. Построить таблицу результатов измерений для построения выходных характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (Таблица 2)
|
|
|
Таблица 2
| Выходное напряжение, UКЭ, В | 0,1 | |||||||||
| Выходной ток, IК, мА, при входном токе, IБ = 100 мкА. | ||||||||||
| Выходной ток, IК, мА, при входном токе, IБ = 200 мкА. | ||||||||||
| Выходной ток, IК, мА, при входном токе, IБ = 300 мкА | ||||||||||
| Выходной ток, IК, мА, при входном токе, IБ = 400 мкА | ||||||||||
| Выходной ток, IК, мА, при входном токе, IБ = 500 мкА |
7. Установить на источнике тока I1 ток IБ=100 мкА
8. Изменяя значение напряжения источника э.д.с. E от 0,1 до 35 В, записать соответствующие значения тока IК (амперметр А2) в таблицу.
9. Повторить измерения при входных токах базы IБ, указанных в таблице.
10. По результатам измерений построить входные и выходные характеристики транзистора.
11. Определить h-параметры транзистора по полученным характеристикам.
12. Сделать вывод. Вывод должен содержать описание теоретических положений, подтвержденных экспериментально в процессе выполнения работы.
