Обратное рассеяние

Факт, что электроны часто подвергаются большим угловым отклонениям по отношению к их траектории, объясняется явлением обратного рассеяния. Электрон, входящий в одну поверхность поглотителя, может подвергнуться отклонению таким образом, что он отлетит

Рис. 2-15 Кривая потерь (передачи) Transmission curve для бета частиц от источника ¹⁸⁵W (с конечной энергией 0.43 Мэв). (От Baltakmens.¹⁶)

от поверхности, на которую он падал. Эти обратно-рассеянные электроны не передают всю свою энергию поглощающей среде и поэтому могут существенно влиять на ответный сигнал детекторов, разработанных, чтобы измерять энергию падающих электронов. Электроны, претерпевающие обратное рассеяние во «входном окне» или мертвом слое детектора не регистрируются вообще.

Обратное рассеяние наиболее значимо для электронов с низкой начальной энергией и поглотителей с высоким атомным номером. Рис. 2-17 показывает долю моноэнергичных электронов, которые претерпевают обратное рассеяние при попадании на поверхности различных поглотителей. Дополнительные данные для материалов, обычно используемых в детектроах электронов, приведены в таблице 10-1.

Обратное рассеяние может также влиять на определение выхода (коэффициента вторичной эмиссии) yield из радиоизотопного источника бета-частиц или конверсионных электронов. Если источник расположен на толстой подложке, первоначально испущенные электроны, которые попадут в эту подложку, могут претерпеть обратное рассеяние и вылететь из поверхности источника.

Рис. 2-16 Коэффициент поглощения n бета-частицы в алюминии как функция конечной энергии endpoint energy E_m, средней энергии E_av, и E' = 0.5 (E_m, + E_av) различных бета источников. (От Baltakmens.¹⁷)

Рис. 2-17 Значения η электронов, которые претерпели обратное рассеяние от толстых слоев различных материалов, как функция начальной энергии E. (От Tabata и al.¹⁸)