2015-05-20
720
Выпрямительные – для выпрямления переменного тока (I~) низкой частоты (до 50кГц), основной элемент – кремний.
Высокочастотные – для выпрямления токов в широком диапазоне (до 100 МГц), для модуляции, детектирования и т.д.
Импульсные – для преобразования импульсных сигналов (в детекторах видеосигналов TV, логических устройствах и т.д.).
Схема импульсной
диодной сборки
5. Транзисторы – электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним или несколькими переходам, пригодный для усиления мощности, имеющий три и более выводов.
Биполярный транзистор – транзистор, в котором используются заряды носителей обеих полярностей. В отличие от полупроводниковых диодов биполярные транзисторы имеют два электронно-дырочных перехода. Основанием прибора служит пластина полупроводника, называемая базой. С двух сторон в нее вплавлена примесь, создающая области с проводимостью, отличной от проводимости базы. Таким образом, получают транзистор типа p–n–p, когда крайние области являются полупроводниками с электронной проводимостью, а средняя – полупроводником с дырочной проводимостью, и транзистор типа n−p−n, когда крайние области являются полупроводниками с дырочной проводимостью, а средняя – полупроводником с электронной проводимостью. Нижнюю область называют эмиттером, а верхнюю коллектором. На границах областей с различной проводимостью образуются два перехода. Переход, образованный вблизи эмиттера, называют эмиттерным, вблизи коллектора – коллекторным. При использовании транзистора в схемах на его переходы подают внешние напряжения. В зависимости от полярности этих напряжений каждый из переходов может быть включен либо в прямом, либо в обратном направлении.
|
|
|
Соответственно различают три режима работы транзистора:
– режим отсечки, когда оба перехода заперты;
–режим насыщения, когда оба перехода открыты;
–активный режим, когда эмиттерный переход частично открыт, а коллекторный заперт.
Если же эмиттерный переход смещен в обратном направлении, а коллекторный – в прямом, то транзистор работает в обращённом (инверсном) включении.
В основном транзистор используют в активном режиме, где для смещения эмиттерного перехода в прямом направлении на базу транзистора типа p–n–p подают отрицательное напряжение относительно эмиттера. Напряжение на коллекторе обычно в несколько раз больше напряжения на эмиттере.
6. Классификация транзисторов.
Транзисторы классифицируются по исходному материалу, рассеиваемой мощности, диапазону рабочих частот, принципу действия и т.д. По исходному материалу их делят на две группы: германиевые и кремниевые. Германиевые транзисторы работают в интервале температур от – 60 до + 85°С, кремниевые – от – 60 до + 150°С.
|
|
|
По диапазону частот: низких, средних, высоких частот.
По классу мощности: малые, средние, большие.
Транзисторы малых мощностей:
– усилители низких и высоких частот;
– малошумящие усилители;
– переключатели насыщенные, ненасыщенные, мало токовые.
Транзисторы больших мощностей:
– усилители;
– генераторы;
– переключатели.
7. Обозначения транзисторов:
Первый элемент – материал (может стоять М–модернизирован, разработан до 1964 года.): Г– германий; К– кремний; А – соединение галлия.
Второй элемент – подкласс прибора: Т– биполярные; П– полевые;
Третий – назначение (справочные данные);
4 и 5 – порядковый номер разработки и технологический тип;
6 – деление технологического типа (справочное)
Пример: ГТ –115А – широкое применение, германиевый, биполярный, низкочастотный, маломощный, № разработки – 15, группа А.
Проверка работоспособности проводится измерением токов, протекающих через переход в прямом и обратном направлении.
