Исследование динамических параметров ключа. Порядок выполнения работы

Порядок выполнения работы

Исследование ключа на биполярном транзисторе

Исследование динамических параметров ключа

Собрать схему, которая приведена на рисунке 4.1. Параметры функционального генератора (форма импульсов – прямоугольные): Frequency – 100 кHz, Duty cycle – 50%, Amplitude – 2,5 В, Offset – “+2,5В” для n-p-n транзистора или “-2,5В” для p-n-p транзистора. Для p-n-p транзистора полярность напряжения питания изменяется на противоположную.

Настройки осциллографа: развертка - 0.10 мкс/д (Y/T), X position=0.00, Чувствительность по каналу А – 2 В/д (Y position=0.00), режим DC. Чувствительность по каналу В – 2В/д (Y position=-3.00), режим DC. Синхронизироваться в режиме AUTO, передним фронтом импульса.

Рисунок 4.1 – Схема для исследования ключа на биполярном транзисторе

Включить схему. Получив осциллограммы (см. рис.4.2), прекратить процесс моделирования.

Зарисовать осциллограммы входного и выходного сигналов ключа и измерить такие динамические параметры ключа:

- tзад – время задержки включения;

- tф – время формирования фронта коллекторного тока;

- tрасс – время рассасывания избыточного заряда в области базы;

- tсп – время формирования спада коллекторного тока.

Рисунок 4.2 – Форма входного и выходного сигналов ключа на биполярном транзисторе

tзад = 6.59 ns

tф = 5.085 ns

tрасс = 16.179 ns

tсп = 33.898 ns