2015-05-10
833
На практике, в силу своей полупроводниковой структуры, реальный диод обладает рядом недостатков и ограничений по сравнению с идеальным диодом. Это можно увидеть на рисунке 1.4, приведенном ниже.
Рисунок 1.4 - Вольт-амперная характеристика реального диода
При прямом включении напряжение на диоде должно достигнуть определенного порогового значения - 
. Это напряжение, при котором PN-переход в полупроводнике открывается достаточно, чтобы диод начал хорошо проводить ток. До того как напряжение между анодом и катодом достигнет этого значения, диод является очень плохим проводником.
При прямом включении полупроводниковый диод способен выдержать ограниченную силу тока 
. Когда ток через прибор превышает этот предел, диод перегревается. В результате разрушается кристаллическая структура полупроводника, и прибор становиться непригодным.
При обратном включении диод не является абсолютным изолятором и имеет конечное сопротивление, хоть и очень высокое. Это служит причиной образования тока утечки или обратного тока 
.
|
|
|
При обратном включении диод способен выдерживать ограниченное напряжение – напряжение пробоя 
. Если внешняя разность потенциалов превышает это значение, диод резко понижает свое сопротивление и превращается в проводник. Такой эффект нежелателен, так как диод должен быть хорошим проводником только при прямом включении.
