Режим насыщения

При работе в режиме насыщения и коллекторный, и эмиттерный переходы открыты. В результате инжекция идёт двумя потоками. Суммарный ток через транзистор – это разность между потоками.

В результате в базе происходит активное накопление неосновных носителей заряда.

Ток базы может быть сравним с током эмиттера, может быть и больше.

Этот режим неуправляемый.