Измерения. 1. Ознакомиться со схемой установки (рис

1. Ознакомиться со схемой установки (рис. 1). Клеммы для подключения миллиамперметра mА, микроамперматра А, вольтметра V вынесены на панель.

2. Включить схему и снять прямую ветвь вольт-амперной характеристики: Iпр = f(Uпр). Для этого снять показания миллиамперметра (тумблер включен в сторону мА), изменяя напpяжение U от 0.3 до 0.75 В с шагом 0.05 В.

3. Для снятия обpатной ветви вольт-амперной характеристики изменить схему. Для этого пеpеключить тумблер в положение А и поменять поляpность питающего напpяжения. Снять обратную ветвь вольт-амперной характеристики в интервале от 0 до 0.75 В с шагом 0.05 В.

4. Построить графики полученых зависимостей Iпр = f(Uпр) и Iобр = f(Uобр)

5. Определить Rпр = Uпр/Iпр при величине напряжения, указанной преподавателем.

6. Определить Rобр = Uобр/Iобр при величине напряжения, указанной преподавателем.

7. Определить Квып = Iпр/Iобр для одинаковых значений напряжения.

Контpольные вопросы

1. Как происходит образование зон?

2. Нарисовать зонные диаграммы для чистого и примесных полупроводников для а) Т=0 К и б) Т = Тс (Тс - температура собственной проводимости)

3. Что происходит при контакте полупроводников разного типа?

4. Что происходит при действии внешнего поля на переход?

5. Нарисуйте идеальные вольт-амперные характеристики p-n перехода.

6. От чего зависит ширина области объемного заряда?

7. Как меняется положение уровня Ферми в полупроводниках в зависимости от температуры?

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 6.10

ИЗМЕРЕНИЕ ПОСТОЯННОЙ ХОЛЛА И КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ.

Цель работы: изучить явление Холла, определить постоянную Холла и концентрацию носителей заряда в полупроводнике.

Пpибоpы и обоpудование: Германиевый полупроводник с электронной проводимостью, электромагнит, цифровой вольтметр.