Краткие сведения из теории

1 2 3

Практическое занятие №3. Исследование биполярного транзистора

Цель занятия:

1. Исследование зависимости тока коллектора от тока базы и напряжения база-эмиттер.

2. Анализ зависимости коэффициента усиления по постоянному току от тока коллектора.

3. Исследование работы биполярного транзистора в режиме отсечки.

4. Получение входных и выходных характеристик транзистора.

5. Определение коэффициента передачи по переменному току.

6. Исследование динамического входного сопротивления транзистора.

Краткие сведения из теории

Исследуемая схема показана на рис. 1. Статический коэффициент передачи тока определяется как отношение тока коллектора к току базы :

Динамический коэффициент передачи тока определяется отношением приращения коллекторного тока к вызывающему его приращению базового тока:

Дифференциальное входное сопротивление транзистора в схеме с общим эмиттером (ОЭ) определяется при фиксированном значении напряжения коллектор-эмиттер. Оно может быть найдено как отношение приращения напряжения база-эмиттер к вызванному им приращению тока базы:

Дифференциальное входное сопротивление транзистора в схеме с ОЭ через параметры транзистора определяется следующим выражением:

где – распределенное сопротивление базовой области полупроводника; – дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер, определяемое из выражения: , где – постоянный ток эмиттера в миллиамперах. Первое слагаемое в выражении много меньше второго, поэтому им можно пренебречь:

Дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер для биполярного транзистора сравнимо с дифференциальным входным сопротивлением транзистора в схеме с общей базой, которое определяется при фиксированном значении напряжения база-коллектор. Оно может быть найдено как отношение приращения напряжения база-эмиттер к вызванному им приращению тока эмиттера: