Перечислите механизмы (приемы) обеспечения анизотропии плазменного травления

В плазменных системах травления анизотропия процесса обеспечивается ускорением ионов в области приэлектродного пространственного заряда в направлении по нормали к обрабатываемой поверхности. Анизотропный компонент скорости травления увеличивается, когда направление потока ионов предельно близко к вертикальному. Изотропный компонент попадающего на пластину ионного потока является скорее тепловым (0,1 эВ по сравнению с сотнями эВ для ионов, ускоренных в области пространственного заряда - ОПЗ) или вызван столкновениями ионов с нейтралами в области ОПЗ (или упругими или зарядообменными).

Работа с высокоплотной плазмой при низком давлении обеспечивает более тонкую область пространственного заряда и, соответственно, меньшую вероятность рассеяния ионов в этом промежутке, что гарантирует большую анизотропию процесса травления.

Поэтому в настоящее время системы плазменного травления для критических уровней технологии (менее 0,18 мкм) и глубокого анизотропного травления для изделий МСТ постоянно совершенствуются и от традиционных многофункциональных систем травления в низкоплотной плазме с емкостной связью переходят к системам со средней и высокой плотностью плазмы.

Из всего вышесказанного, следует, что для глубокого анизотропного плазменного травления более целесообразно использовать источники высокоплотной индуктивно- трансформаторно – связанной плазмы, поскольку они являются наиболее простыми не только с точки зрения проектирования, но и в производстве, и обслуживании и обеспечивают плотность плазмы от 10 до 10¹² см .