Широкое использование современных информационных технологий в телекоммуникациях приводит к созданию систем проектирования, предназначенных для повышения эффективности внедрения разрабатываемых высокочастотных и сверхвысокочастотных телекоммуникационных устройств [45, 47, 49, 60-62, 74, 78, 79, 82-84, 89].
Эффективность проектирования определяется степенью формализации постановки задачи, адекватностью перехода от физической модели к математическому описанию элементов техники, а также выбором и разработкой методов, алгоритмов и программ выполнения проектных процедур. Значительные результаты за рубежом достигнуты в области разработки нелинейных моделей биполярных и полевых транзисторов и создания инструментальных САПР для решения прикладных задач [52, 60].
Особенностью развития САПР в современных условиях является возможность выбора инструментальной среды проектирования и разработка на ее основе алгоритмов и программ, необходимых для решения конкретных прикладных задач, т.е. создание прикладных САПР.
|
|
В базе данных AWR Microwave Office (AWR MWO) имеются сведения о математических моделях применяемых элементов, в частности, транзисторов, их параметрах. Математическим моделям транзисторов, описываемых в общем случае системой нелинейных дифференциальных уравнений высокого порядка, соответствуют модели в виде эквивалентных схем и SPICE-параметров. Ввод SPICE-параметров позволяет переходить к решению системы дифференциальных уравнений, которые описывают динамику работы транзисторов в различных режимах.
Рассмотрим вначале модели биполярных транзисторов, применяемых в при проектирования телекоммуникационных устройств с использованием инструментальной среды AWR MWO.