Потенциометрические сенсоры. Устанавливаемые на основе МДП, МОП-структур

В данных структурах используется явление, изменения характеристик области повторного объёмного заряда полупроводника. При замене металла затвора проводящим раствором, изолирующая область покрывается ион-селективной мембраной и подвергается воздействию ионов. Для создания химических сенсоров используется два вида мембран чувствительных к ионам:

1) Образующие форадеев переход (неполяризуемый).

2) Образующие нефорадеевский переход (поляризуемый)