Полевой МОП-транзистор с изолированным затвором

В МОП-транзисторах необходимо учитывать активное влияние подложки, которое в эквивалентной схеме для МОП-транзистора можно отразить в виде генератора тока. В реальных дискретных и интегральных схемах подложку обычно соединяют с истоком и тогда генератор тока можно исключить из схемы. Кроме того, сопротивления участков затвор-исток и затвор-сток в МОП-транзисторе учитывают сопротивление диэлектрика в области затвора. Входное сопротивление ПТ со стороны затвора составляет не менее 10¹⁴-10¹⁷ Ом, поэтому с этими сопротивлениями практически можно не считаться. Поэтому в данной работе будет дана только упрощенная эквивалентная схема МОП-транзистора (рис.2.32.) используемая в типовых инженерных расчетах усилителей.

Рис.5.11. Упрощенная эквивалентная схема МОП-транзистора.

Крутизна по затвору в этой схеме предполагается не зависящей от частоты. Кроме того, в схеме отсутствует сопротивление участка «подложка-сток» (R_пс), но оно так велико по сравнению с сопротивлением канала (r_си), что с его шунтирующим действием можно не считаться.