Магниторезистивный датчик

Анизотропные магниторезистивные (АМР) датчики представляют собой специальные резисторы, сделанные из тонкой пермаллоевой пленки, помещенной на кремниевую пластину. При их производстве, пленка помещается в сильное магнитное поле для ориентации магнитных областей в одинаковом направлении, определяя тем самым направление вектора намагничивания. Затем, при попадании во внешнее магнитное поле, перпендикулярное пленке, вектор намагничивания начинает вращаться или изменять угол. Это, в свою очередь, меняет сопротивление пленки. Если включить АМР прибор в электрическую схему, такую как мост Уитстона, то изменение сопротивления можно обнаружить по изменению в напряжении, а потом высчитать силу воздействующего магнитного поля. В 1856 году Вилльям Томпсон и Лорд Кельвин впервые описали магниторезистивный эффект.

Магниторезистивные датчики с одной, двумя или тремя осями могут быть очень миниатюрными по размеру. Например, датчик с тремя осями можно произвести с площадью основания 2.8 мм на 8.1 мм и высотой в 4.0 мм. Такие транзисторные аломощные датчики могут выпускаться либо отдельно, либо встроенными в другие изделия. При правильной калибровке электронные компасы на магниторезистивных датчиках могут достигать точности, превышающей один градус. Встроенные компасы в некоторых GPS приемниках основаны именно на данной технологии.