Фоторезистор – полупроводниковый резистор. Сопротивление которого изменяется под действием светового потока. На рис. 1.36, а показана конструкция, на рис. 1.36, б зависимость фототока от светового потока, а на рис. 1.36, в вольтамперные характеристики.
а) б) в)
Рис.1.36. Конструкция и характеристики фоторезистора
Параметрами фоторезистора являются:
- темновое сопротивление;
- кратность сопротивления для предельного светового потока;
- удельная чувствительность, где
- световой поток, люмен;
L – освещенность, люкс;
S – площадь фотослоя;
U – приложенное напряжение.
Фоторезисторы, за счет большой площади фотослоя, обладают сравнительно хорошей чувствительность к световому потоку и большой инерционностью.