Загальні властивості сегнотоелектриків

Діелектрична проникність більшості кристалічних діелектриків має порівняно малі значення – одиниці або десятки одиниць. Крім того, величина звичайних діелектриків практично не залежить від температури.

Поряд із цим існує ряд кристалічних діелектриків (сегнетова сіль NaКC₄H₄0₆, титанат барію ВаТіО₃ та інші), діелектрична проникність яких сильно залежить від температури, є функцією напруженості зовнішнього електричного поля та у певному температурному інтервалі може сягати великих значень (~ 10³…10⁴). Окрім того, ці діелектрики у певній області температур (полярна фаза) мають спонтанну поляризацію (дипольний момент одиниці обєма ) за відсутності зовнішнього електричного поля. Однак на границях цієї температурної області вони зазнають фазових перетворень, переходячи у нові кристалічні модифікації, у яких спонтанна поляризація відсутня. Такі діелектрики називаються сегнетоелектриками.

Кристалічна модифікація, у якій сегнетоелектрик спонтанно поляризований, називається полярною фазою, а модификація в якій спонтанної поляризації немає – неполярною фазою. Температура , при якій сегнетоелектрик переходить із полярної фази в неполярну (або назад) та має максимальне значення , називається діелектричною точкою Кюрі. Як правило, сегнетоелектрик має тільки одну точку Кюрі, нижче якої він перебуває в полярній, а вище – у неполярній фазі. Виключення становлять сегнетова сіль та ізоморфні з нею сполуки. Вони мають дві точки Кюрі: нижню і верхню . Спонтанна поляризація у них спостерігаеться лише в температурній області, що обмежена цими точками. На рис.1 наведена температурна залежность диелектричної проникності тітанату барію. Користуючись нею, можна визначити точку Кюрі.

Рис.1. Температурна залежность диелектричної проникності тітанату барію

Вище точки Кюрі зменшується з зростанням температури і має місце закон Кюрі-Вейсса

, (1)

де – стала Кюрі для даного сегнетоелектрика.

До загальних властивостей сегнетоелектриків відносяться нелінійна залежність діелектричної проникності та поляризації матеріалу від напруженості електричного поля , а також явище діелектричного гістерезису.