Опис експериментальної установки та методики вимірювань. Для проведення вимірювань в роботі використовуються дві схеми

Для проведення вимірювань в роботі використовуються дві схеми. Перша дозволяє отримати залежність від температури. Друга схема дає можливість спостерігати петлю гістерезису сегнетоелектрика на екрані осцилографа.

Дослідження залежності зводиться до вимирів ємності конденсатора, що заповнений сегнетоелектриком, в залежності від температури. Для цього використовується установка, принципова схема якої наведена на рис. 5. Досліджувані конденсатори мають такі розміри: площа обкладинок = 1см², відстань між ними = 1см. Конденсатори повністю заповнені сегнетоелектриком – титанатом барію або цирконат-титаном свинцю.

Рис.5. Схема установки для отримання залежності

Електроємність досліджуваних конденсаторів вимірюється за допомогою мосту постійного струму. Досліджуваний конденсатор поміщається у трубчасту електричну піч, температура всередині якої змінюється шляхом регулювання вихідної напруги V₁ трансформатора Т та, відповідно, сили струму у обмотці печі. Виміри температури здійснюються за допомогою термопари, електрорушійна сила (ЕРС) якої вимірюється вольтметром V₂.

Для отримання петлі гістерезису на екран осцилографа достатньо подати на вертикальні відхиляючі пластини напругу , пропорційну поляризованості , а на горизонтальні відхиляючі пластини – напругу , пропорційну напруженості поля .

Схема установки для дослідження діелектричного гістерезису наведена на рис.6. Схема живиться від мережі змінного струму із частотою 50 Гц за допомогою трансформатора Т, на вторинній обмотці якого розвивається напруга = 1000…1200 В. Для регулювання напруги в заданих межах служить автотрансформатор ЛАТР із вольтметром на вході трансформатора. Напруга подається на подільник з послідовно з'єднаних резисторів і та на послідовно з'єднані конденсатори з електроємностями та . Між обкладинками конденсатора шуканої електроємності перебуває досліджуваний діелектрик.

Рис.6. Схема установки для дослідження діелектричного гістерезису

Індукція електростатичного поля усередині сегнетоелектрика (або, що практично те ж саме, поляризованість )дорівнює поверхневій густині зарядів на обкладинках конденсатора: , де – заряд одного з електродів конденсатора, заповненого сегнетоелектриком.

Оскільки конденсатори та з'єднані послідовно, заряди на їхніх пластинах однакові. Тому напруга на конденсаторі

. (13)

Іншими словами, напруга на конденсаторі , що подається на вертикально відхиляючі пластини електронно-променевої трубки осцилографа, пропорційна поляризованості сегнетоэлектрика.

Доведемо тепер, що напруга на горизонтально відхиляючих пластинах пропорційна напруженості . Нехай ємність конденсатора значно менше ємності . Оскільки опір обернено пропорційний ємності: , то практично вся напруга прикладена до конденсатора . Якщо відношення опорів у подільнику дорівнює цілому числу , тобто , то

(14)

або .

Таким чином, за один повний цикл змінної напруги електронний промінь на екрані осцилографа описує криву залежності значення заряду конденсатора від напруги на його обкладинках, а відповідно – залежність поляризованості (або електричної індукції ) від напруженості електричного поля . На екрані осцилографа виникає петля гістерезису: відхилення променя по вертикалі пропорційно поляризованості , по горизонталі – напруженості електричного поля , тобто