1. Користуючись рекомендованою літературою та конспектом лекцій, вивчіть основні теоретичні положення з теми лабораторної роботи та дайте письмові відповіді на контрольні запитання, поміщені в кінці цих методичних вказівок.
2. Проведіть попередній розрахунок простою підсилювача на біполярному транзисторі, поданого на рис. 4.4,а. Для цього:
а) перерисуйте з довідника з напівпровідникових приладів вхідні та вихідні статичні ВАХ заданого типу транзистора та перепишіть його гранично допустимі параметри: IK max та UKE max. На вихідні характеристики транзистора нанесіть криву максимальної потужності;
б) виберіть значення RK та ЕK, виходячи з вимог, поставлених в основних теоретичних положеннях цих методичних вказівок;
в) нанесіть на вихідні статичні ВАХ БТ навантажувальну пряму, яка відповідатиме вибраним значенням RK та ЕK, і на її основі побудуйте передавальну характеристику транзистора ІK = f(IБ);
г) виберіть на побудованій передавальній характеристиці та статичних ВАХ БТ робочу точку транзистора, тобто визначте постійні струми і напруги IБ0, UБE0, IK0, UKE0, необхідні для того, щоб ввести транзистор в підсилювальний режим;
|
|
д) розрахуйте значення опору RБ, необхідного для забезпечення живлення базового кола, тобто для забезпечення зміщення бази транзистора;
е) на основі стичних ВАХ визначте в робочій точці h-параметри транзистора і на їх підставі розрахуйте вхідний і вихідний опори та коефіцієнти підсилення напруги, струму і потужності підсилювача. Для розрахунку скористайтеся формулами:
(4.10)
; (4.11)
; (4.12)
; (4.13)
. (4.14)
Опір навантаження RН виберіть таким же як RК. Результати розрахунків запишіть в табл. 4.2.
Таблиця 4.2