Полевыми транзисторами (ПТ) называют полупроводниковые приборы, в которых проводимость канала регулируется электрическим полем, перпендикулярным направлению тока. Различают: ПТИЗы – ПТ с изолированным затвором, где затвор изолирован от подложки слоем SiO2; ПТУПы – ПТ с управляющим p–n – переходом, где затвор выполнен в виде обратно смещенного p–n – перехода. При этом проводимость канала может быть как электронной (n – канал), так и дырочной (p – канал), причем ПТИЗы могут работать на обедненном (индуцированный) и обогащенном (встроенный) каналах, а ПТУПы – только на обедненном. Условные обозначения раз
личных ПТ приведены на рис. 2.11.
Типичные ВАХ ПТ аналогичны ВАХ ЭВП (рис. 2.12). В линейной области
(2.13)
где U 0 – пороговое напряжение, k – коэффициент, определяющий конструкцию ПТ. Из (2.13) следует (0,5…2 Ом); Rmax –> ∞, что позволяет использовать ПТ как переменное сопротивление, управляемое напряжением. В области насыщения
, (2.14)
|
|
т.е. ток IC не зависит от UСИ, причем крутизна ВАХ
, (2.15)
т.е. S = Smax при UЗИ = 0. Заметим, что величину k можно определить экспериментально, измерив начальное значение , откуда . Наконец, используя максимальное значение крутизны Smax =2 kU 0, уравнение (2.15) можно переписать в виде
, (2.16)
что обычно используют при анализе больших сигналов. Для малых сигналов , где крутизну S в выбранной рабочей точке можно считать величиной постоянной.
Простейшая схема замещения ПТ в составе усилительного каскада приведена на рис. 2.13, где ПТ представлен в качестве источника тока, управляемого напряжением (IЗ » 0 ввиду большого сопротивления), что позволяет определить его усилительные свойства:
(2.17)
Динамические характеристики ПТ в линейном (усилительном) режиме аналогичны частотным характеристикам БТ, в ключевом режиме определяются значениями емкостей СЗИ и СЗС, от которых в основном зависят время включения tвкл и время выключения tвыкл ПТ. Маркировка ПТ полностью соответствует БТ с заменой буквы Т на букву П.