Подготовка поверхности

Таблица 7.3. Формы приконтактных областей полупроводниковых резисторов и номограммы для определения коэффициента k

Фотолитография

Процессы легирования, а также наращивания слоев различных мате­риалов призваны сформировать вертикальную физическую структуру ИМС. Необходимые форма и размеры элементов и областей в каждом слое струк­туры обеспечиваются процессом фотолитографии.

Фотолитография — процесс избирательного травления поверхност­ного слоя с использованием защитной фотомаски.

Топология приконтактных областей полупроводниковых резисторов	Номограммы для определения коэффициента k

Рис. 7.15. Укрупненная схема процесса фотолитографии

На рис. 7.15 приведена укрупненная структурная схема процесса фо­толитографии. Отдельные этапы на схеме включают несколько операций. Ниже в качестве примера приведено описание основных операций при из­бирательном травлении оксида кремния (SiO₂), которое используется мно­гократно для создания окон под избирательное легирование, а также кон­тактных окон.

Подготовка поверхности к нанесению фотослоя заключается в ее об­работке парами органического растворителя для растворения жировых пле­нок, которые препятствуют последующему сцеплению фоторезиста с по­верхностью. Отмывка сверхчистой (деионизованой) водой удаляет следы растворителя, а также микрочастицы, способные впоследствии образовать «проколы» в тонком («1 мкм) слое фоторезиста.