И допустимого числа наложений a импульсов

Например, если допустимо 3^х кратное наложение с вероятностью 0,01, то

(Q T⁺)²exp(-Q T⁺)/4! = 0,01Þ Q T⁺= 6,5 Q = 6,510⁴a/с Q_max = 10⁵a/с

²³⁸U M_max = 1,2 г при S =100 см² m = 12 мг/см² = 2 R_FÞналожение ограничением не являются.

²³⁹Pu M_max = 0,01 мг Þ принципиальное ограничение

²³⁸U M_max = 1,2 г при S =100 см² m = 12 мг/см² = 2 R_FÞограничение – толщина слоя. Пусть Q_a = 310⁴a/с

p(4) = (0,3)³e^-0,3/4! = 810^-4 Þ24отс/с

p(5) = (0,3)⁴e^-0,3/5! = 510^-5 Þ1,5отс/с

p(6) = (0,3)⁵e^-0,3/6! = 2,510^-6 Þ7,510^-2 отс/с

6V_a = 0,2V_F

t_слоя << R_f = 6 мг/см², e_F =2*1/2 =1,

КД l = 50 см стильбен

Запуск ВА стоп ВА

времена пролёта g и n = 0.1 и 2МэВ Þ 0,6 нс и 52 нс

Разрешающее время КД (t_КД = Dt_всп – необходимо минимальное)

Параметры КД: d = 0,2 см; P =0,1 атм; Ar с m= 5 см²/Вс; U = 300 B;

<T⁺> =0,5d/mU/d =1,310^-5c; T^{- -}@ 10^-8 c.

S = 10 см² Þ С = S/d = 50пкФ. При RC = 10^-8c R = 500 Ом

Разрешающее время t при t_КД @ T^- /3 £ 1нc

с доверительной вероятностью 0.7 будет наблюдаться в интервале Dt = <t^*>(если Гаусс)

Амплитуда импульса КД

Средняя потеря энергии осколком в камере DE @ E_оск (2d ^Arr /R_оск) =

= 80МэВ(2*0,2*40/22,410³)/610^-3 = 10 МэВ

Средняя потеря энергии a-частицей (пробег 8 мг/см²)

= 5МэВ(2*0,2*40/22,410³)/810^-3 = 0,8 МэВ

Амплитуда

V_F = eDE/wС = 1,610^-19 (10⁷/30)/510^-11 = 1мВ, V_a = 0,08 мВ

Стохастические ограничения на Q_F

Q_Fmax*<T⁺> £ 1; Q_Fmax @ 1/<T⁺> = 10⁵дел/с, Q_nmax = 410⁵ нейт/c

Плотность потока на детектор j = Q_nmax /4pl² = 13 нейт/см²с

Детектор

Стильбен S = 20 см²; h = 1 см; S_np(2 МэВ) = 0,17 см^-1; e(E) @ 0,4

Средняя по энергии скорость счёта n = jeS = 10² отсч/с

Порог по электронам - 0.02 МэВ Þпо протонам - 0.2 МэВ

E_max = 2 - 4 МэВ (определяется минимальным разрешением) Ü рис

Энергетическое разрешение установки

t_КД = 10^-9c v(2МэВ)= 1,410⁴E^1/2 = 1,410⁹см/с Dt_l = h/v =1,410^-9с

Dt = (t² + Dt²_l)^1/2 = 1,810^-9с

h(2 МэВ) = 2,8 E^1/2(Dt/l)% = 14%; h(0,2 МэВ) = 6%

оценка времени эксперимента