2015-02-24
1406
Оценка эффективности миниатюризации РЭА
Эффективность изделий является проявлением их качества в определенных ситуациях использования этого изделия по его прямому назначению. Эффективность операции по миниатюризации РЭА можно оценить по приращению ее качества, полученному в результате этой операции.
Комплексная оценка качества играет большую роль при создании новых видов РЭА, определении наиболее целесообразных условий их приме нения, сравнении между собой различных устройств и систем одного и того же назначения.
Ситуация, в которой возникает необходимость оценки эффективности миниатюризации, может быть, например, следующей: на объекте необходимо разместить аппаратуру, к которой предъявляется жесткие требования по объему или энергопотреблению. Для оценки эффективности миниатюризации устройств РЭА могут быть использованы следующие критерии.
Допустим, необходимо сравнить Р вариантов исполнения устройств одного и того же функционального назначения, имеющих оценки по m показателям качества Xj.
|
|
|
Алгоритм оценки эффективности миниатюризации устройств РЭА выглядит следующим образом:
1. Производится выбор ограниченного множества показателей качества аппаратуры {Xj}, jÎ[1,m], существенно зависящих от операции миниатюризации.
В качестве таких показателей выбирают, например, стоимость, массу, надежность и т.д..
2. Строится матрица размером
Матрица преобразуется к нормированному виду `X с помощью нормирующих функций наиболее часто встречающихся
(для показателей, с увеличением которых качество повышается),
(для показателей, с уменьшением которых качество повышается);
здесь Хj* - минимум j-го показателя;
Хj** - максимум j-го показателя.
Нормирующие функции такого вида используются для сравнения по качеству малого числа вариантов. А нормирующие функции вида
используются для сравнения по качеству большого числа вариантов устройств.
В общем случае последняя функция определяется выражением
Здесь показатель Xj. - нормальный, если для объекта r с лучшей j-й
характеристикой Xjr >Xjw r¹w; показатель Xj- инверсный, если
Xjr £Xjw r¹w
Использование нормирующей функции такого вида говорит о том, что во всем диапазоне заданному приращению DXj соответствует одно и тоже приращение g(Xj), т.е. данное преобразование линейно. Если один из пределов Xj®µ, используется нелинейное преобразование.
Иногда показатели качества Х изменяются в пределах нескольких десятков, тогда нормирование показателей целесообразно производитьпоформуле.
3..Определяются (или задаются) коэффициенты значимости отдельных показателей качества Xj.
|
|
|
4. Производится оценка качества исполнения устройств.
При этом лучшему качеству РЭА пусть соответствует меньшее значение целевой функции j(Xj), которая ставит в соответствие каждому объекту вместо m - мерного вектора оценок X={ Xj}, jÎ[1,m] скалярную оценку, после чего задача выбора и упорядочения решается известным образом.
5. Полученный набор положительных чисел упорядочивается в ряд поихвозрастанию, что соответствует порядку убывания предпочтительности вариантов устройств с точки зрения их качества.
При наличии конкретного аналога, выполненного без применения средств микроэлектроники, оценка эффективности миниатюризации может быть получена по описанному алгоритму с использованием критерия "W"
П. Оценка уровня миниатюризации РЭА
При формировании ТЗ на вновь разрабатываемую РЭА в нем оговаривается требуемый уровень миниатюризации.
На стадиях эскизного и технического проектирования (как предварительно) и на стадии разработки рабочей документации опытных образцов (окончательно) производится оценка уровня миниатюризации РЭА.
Если устройства выполнены в микроэлектронном исполнении на основе использования ИМC широкого применения, различают степени интеграции, то их уровень миниатюризации оценивается коэффициентами применяемости ИМС первой m1, второй m2, и т.д. степеней интеграции, которые определяются отношением суммарного числа эквивалентных элементов в ИМС к общему числу элементов в устройстве.
Оценка уровня миниатюризации изделий, состоящихиз ряда конструктивных законченных модулей, выполняющих самостоятельные функции, производится отдельно по модулям.
Коэффициент применяемости ИМС, включая МСБ к-ой степени интеграции, в модуле определяется по формуле
где nki, - число эквивалентных элементов в ИМС (МСБ) i -го типа к - й степени интеграции
Nki - число ИМС (МСБ) i -го типа к - й степени интеграции в модуле.
М - число дискретных элементов в модуле.
Общий коэффициент применяемости интегрированных элементов в модуле определяется как
Значения m0 и mk лежат в пределах от 0 до 1;
они показывает долю интегрированных элементов в модуле.
Миниатюризация электронных блоков, состоящих из маломощных каскадов, не может полностью решить проблему миниатюризации РЭА. Значительную часть аппаратуры составляют блоки мощных передатчиков, устройства отображения информации, кинематические механизмы и т.д., которые сегодня еще слабо поддастся миниатюризации.
Уровень миниатюризации устройств целесообразно оценивать коэффициентом
где Vm - объем устройства, подвергнутого миниатюризации,
Vа - объем аналога в другом исполнении. В некоторых случаях удобно пользоваться коэффициентом по массе
Область допустимых значений уровней миниатюризации различных устройств определяется статистически
где m0 min - минимально допустимый уровень миниатюризации для данного класса устройств (устанавливается директивно на основе анализа);
единица - предельно достижимый уровень миниатюризации.
Если уровень миниатюризации РЭА m0 ³ m0 min, то она соответствует
современному уровню развития микроэлектроники и методов конструирования, если m0< m0 min. то нет.
Аналогично устанавливаются области допустимых значений m для тех частей РЭА, создание которых на данном этапе не может быть реализовано средствами микроэлектроники,
Показатели уровня миниатюризации m0 и mv могут быть использованы как критерии, указывающие на целесообразность модернизации конструктивно устаревших РЭ систем. Так, например если образец имеет уровни миниатюризации m0(2) и mv(2) и предварительная проработка показывает, что использование более современной элементной базы, новых технических и конструктивных решений позволит подучить более высокий уровень миниатюризации:
|
|
|
то модернизация целесообразна при выполнении неравенств
где e1 и e2 минимально допустимые относительные приращения уровня миниатюризации (устанавливаются директивно).
SS и SS* - потребные и максимально допустимыересурсы намодернизацию РЭА.
Показатели x1 и x2 определяют эффективность дальнейшее миниатюризации РЭА, т.е. если оценивать необходимость модернизации устройства по принципу "да - нет", можно записать:
Проведение на различных этапах разработки оценки уровня миниатюризации РЭС дает информацию для выбора направлений проектирования и способствует повышению качества проектируемой РЭА.
Таким образом, пря разработке РЭА Ш, IV поколений необходимо использовать максимально возможное количество ИМС широкого применения для достижений более высокого уровня миниатюризации. Однако, учитывая, что при настоящем уровне развития микроэлектроники номенклатура ИМСширокого применения пока еще недостаточна для получения технически достижимого уровня миниатюризации РЭС, разработчикам РЭА приходится создавать либо ИМС специального применения и микросборки, либо микроэлектронный аналог устройства с помощью современной технологии, как, например, в случае микроминиатюризации СВЧ - устройств.
В настоящее время для изготовления микросборок наиболее широко используется гибридно-пленочная технология. Проектирование гибридных микросборок по сравнению со схемами на дискретных элементах имеет ряд особенностей, связанных с необходимостью комплексного решения схемотехнических, конструктивно-технологических (топологических) и технологических процессов.
Перевод в микроэлектронное исполнение дискретных функциональных узлов, выполненных без учета требований гибридно-пленочной технологии, связан с переработкой схем, что равноценно новой разработкеих в гибридно-пленочном исполнении. Это приводит к возрастанию затрат на проектирование и изготовление РЭА, что является объективным ограничением дальнейшей микроминиатюризации.
|
|
|
В связи с этим на ранних стадиях проектирования РЭА возникает задача выбора номенклатуры устройств РЭА, миниатюризация которых без использования ИМС широкого применения дает максимальную эффективность. При этом принимают, что при использовании в аппаратуре только ИМС широкого применения никаких ограничений (дополнительных затрат) не возникает, а ограничения в ресурсах появляются при необходимости повышения уровня миниатюризации РЭА за счет разработки микросборок специализированного применения и интегральных микроэлектронных устройств собственного изготовления.
Тогда можно сформулировать задачу.
Пусть необходимо выбрать номенклатуру устройств, миниатюризация которых дает максимальный эффект при заданных ограничениях на ресурсы.
Пусть при решении задачи будет выбрано m£n функциональных устройств. Функциональные устройства 1,2,3.......i.......n
это устройства, которые не могут быть миниатюризированы за счет ИМС широкого применения и на миниатюризацию которых следует распределить ресурсы SS.- здесь разработка каждого i -го устройства в интегральном исполнении дает приращение уровня миниатюризации РЭА, на mri и требует затрат Si(mr).
Разрабатываемые m устройств обозначим через j, (j=1,2,…m). Тогда задача выбора номенклатуры функциональных устройств, миниатюризация которых дает максимальный эффект при ограничениях на ресурсы, формулируется следующим образом:
Найти номера
и формулируется, таким образом, как целочисленная задача линейного программирования. Рассмотрим алгоритм ее решения.
Пусть уже выбрано r (r<m) устройств, тогда выбор (r + 1) -го устройства подчиняется следующему правилу: выбирается то устройство, при котором уровень миниатюризации для всех (r.+l) устройств, приведенный к затратам, будет максимальным. В соответствии с этим правилом первым выбирается то устройство, для которого выполняется условие:
Выбор r+1 устройства подчиняется правилу
где jR - порядковыеномера устройств, выбранных до (r+1)-го шага.
Это правило может быть нарушено только на последнем шаге, когда устройство, определяющее максимальный суммарный приведенный уровень миниатюризации, может нарушить условие (**)
В связи с этим на последнем шаге выбирается то устройство, которое не нарушает этого условия и в наибольшей степени удовлетворяет предыдущему.
Ш. Повышение уровня миниатюризации РЭА за счет создания гибридных микросборок
Теперь, при разбиении функциональной схемы устройства, прибора и т.п. на блоки, функциональные ячейки конструктор одновременно определяет
возможностьих реализации при использовании ИС широкого применения.
Однако, в ряде случаев приходится кроме использования ИС широкого применения конструировать специализированные гибридные микросхемы -микросборки, чтобы повысить (обеспечить требуемый) уровень миниатюризации проектируемой РЭА.
Дело в том, что функциональная схема устройства в процессе оптимального проектирования на основе ПФР или других показателей разбивается (расчленяется) на функциональные блоки, узлы, которые могут быть реализованы на ИМС широкого применения; на МСБ и БИС для использования в функциональных ячейках или для самостоятельного применения в виде ФЯ, которые подлежат разработке; и на узлы не подающиеся миниатюризации.
Тогда на ранних стадиях проектирования РЭС выполняют оценочный расчет конструкции такой микросборки (МСБ).
Для этого необходимо, зная требуемый уровень интеграции проектируемой МСБ, конструктивные параметры используемых кристаллов,их количество и разрешающую способность пленочной технологии, выбрать (определить) минимально допустимый размер подложки, выбрать тип корпуса, минуя стадию разводки соединительных проводников. Или, задавая размеры сторон подложки, определить максимальное число кристаллов, расположенных на этой подложке.
Здесь на этом этапе, главной задачей конструктора МСБ является устранение крупногабаритных компонентов, а эта задача может решаться двумя путями: миниатюризацией таких компонентов или заменойих путем изменения электрической схемы устройства и опять же миниатюризацией.
Основные моменты конструирования ГИС широкого применения такие как выбор элементов базы, технологии изготовления, расчет пленочных элементов, размещение элементов и компонентов, корпусирование и др. достаточно хорошо известны разработчикам и конструкторам микросхем широкого применения, т.е. специалистам электронной промышленности.
Однако, поскольку разработчикам и конструкторам РЭА в настоящее время тоже часто приходится заниматься конструированием и производством МСБ, т.е. специализированных ГИС, то радиоинженеру - конструктору необходимо знать некоторые особенности конструирования МСБ и технологииих изготовления / /.
В терминологии по МСБ еще не совсем установились некоторые понятия, поэтому специализированную ГИС называют МСБ иди ИМС ограниченного применения, а используемые для их построения бескорпусные активные элементы (диоды, транзисторы и т.п.) называют также бескорпусными микросхемами, кристаллами, элементной базой ИС широкого применения.
Известны для этих целей схемы резистивно-транзисторной логики(РТЛ),
транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ) и др., перспективными можно назвать схемы эмиттерно-совмещенной логики (ЭСТЛ).
Кристалл схемы РТЛ имеет квадратную форму и пять гибких выводов, которые припаиваются, либо привариваются к подложке микросхемы, МСБ.
Схемы ТТЛ используются шире, чем схемы РТЛ. Их особенностью является наличие в одном кристалле большего числа вентилей (эквивалентный вентиль представляет совокупность из 10 элементов без дифференцирования их электрических функций), чем в РТЛ.
Кристалл имеет квадратную форму и 16 шариковых выводов (если вентилей, например, 4).
В общем случае кристалл может быть с гибкими выводами или с жесткими шариковыми выводами.
Исходными данными для расчета конструктивных параметров МСБ является схема принципиальная электрическая, требуемый уровень интеграции, рекомендации по выбору кристалла. МСБ будет представлять собой корпусированную электрическую подложку одного из типоразмеров, все пассивные элементы на которой неразрывно связаны между собой пленочными проводниками и изготовлены в виде однослойных или многослойных структур, а навесные компоненты и кристалл вмонтированы пайкой или сваркой в контактные площадки.
Расчет конструктивных параметров МСБ
Определение начнем с анализа посадочного мeстa кристалла.
Площадь посадочного места кристалла ограничивается контуром, проведенным по внешним краям контактных площадок, расположенных на коммутационной пленочной плате вокруг кристалла. Поскольку кристаллы имеют прямоугольную форму, то общее число площадок вокруг них должно быть четным.
По числу контактных площадок и их характеристикам - стороне квадрата контактной площадки "а", минимальному расстоянию между двумя контактными площадками d1, минимальному расстоянию от края кристалла до края контактной площадки С можно определить размеры посадочного места кристалла.
Вокруг кристалла обычно можно расположить некоторое число контактных площадок, которое превышает необходимое.
Минимальные размеры b1 и l1, посадочного места кристалла с гибкими выводами определяются по Формулам
Если принять разводку питания и корпуса как на рис.2, то минимальные шаги установки кристаллов hbmin и hг min по вертикали и горизонтали соответственно составляют
Как правило, форма подложки МСБ отличается от квадратной, соотношение сторон составляет 2:3 или 4:5, что диктуется требованием обеспечения как можно большего числа выводов с двух противоположных сторон корпуса МСБ. В связи с этим число рядов кристаллов целесообразно определять по формуле
а столбцов
Вокруг кристалла с размерами bкр и lкр можно расположить
контактных площадок, из которых обычно некоторое число М- контактных площадок используется для электрических соединений. В атом случае имеем
где Х и У - число неиспользованных контактных площадок соответственно вдоль большей и меньшей сторон кристалла. Тогда расстояние вдоль меньшей и большей сторон кристалла b1’ и l1’, определяется зависимостями
При прокладке соединительных проводников под кристаллами в областях подложки, неиспользуемых для размещения контактных площадок, линии, на которых располагаются соединительные проводники, группируются в пучки.
Если наложить условие, чтобы расстояние между линиями в пучках по горизонтали было близко к расстоянию между линиями в пучках по вертикали, то можно записать:
Из последних уравнений определяется
Размеры суммарных свободных зон под кристаллами вдоль меньшей стороны b2 и большем стороны l2 определяется зависимостями
Число слоев соединительных проводников
Разводка соединительных проводников топологии коммутационной пленочной платы МСБ по площади посадочных мест кристаллов требует не более двух слоев при равенстве нулю целочисленной части последнего выражения.
При этом условие двухслойной разводки топологии коммутационной пленочной платы запишется в виде:
Если это условие выполняется, то возможна разводка соединительных проводников по площади посадочных мест в кристалле в два слоя на плате с размерами b и l.
При этом максимально возможное число рядов и столбцов
Здесь d - технологическая зона подложки, т.е. область, в которой запрещается прокладывать пленочные элементы и крепить навесные детали.
В этом случае на подложке может максимально разместиться кристаллов:
Таким образом, в случае выполнения рассмотренного условия можно, задавая размеры сторон подложки b и l, определить максимальное число кристаллов, располагающихся на этой подложке или решить обратную задачу: по заданному числу кристаллов выбрать минимально допустимые размеры подложки.
Если рассмотренное выше условие не выполняется, то разводка соединительных проводников по посадочным местам кристаллов в два слоя невозможна. В этом случае необходимо увеличить шаг установки кристаллов для уменьшения елейности коммутационной пленочной платы. Ширина bз и длина lз площадки, необходимой для расположения линий, на которых группируются соединительные проводники вне посадочных мест кристаллов определяется по формулам:
откуда критерии для выбора ширины b и длины l подложки принимаю вид
Еще раз уточним, что все выше изложенные выводы справедливы для кристаллов с гибкими выводами: при использовании кристаллов с жесткими (шариковыми) выводами, когда прокладка соединительных проводников по посадочным местам под кристаллами невозможна, размеры площадки, на которой укладываются эти проводники, определяются выражениями:
откуда
критерии для выбора подлодки определяются в виде
При получении расчетных выражений предполагается, что используются кристаллы одного стандартного размера. На практике же возникает необходимость использования кристаллов бескорпусных микросхем различных серий.
В этом случае для расчета размеров подложки в качестве стандартного выбирается кристалл такого размера, который в данном изделии используется больше всего; принимается, что посадочные места кристаллов, размеры которых меньше стандартного, соответствуют посадочному месту стандартного кристалла.
Каждый кристалл больших размеров, у которого размеры посадочного места bh и lh превышают размеры посадочного места типового кристалла b1 и l1, учитывается в расчетах как некоторое число Ni типовых кристаллов, где величина Ni определяется выражением
При расчете размеров подложки аналогично могут быть учтены и другие компоненты, размеры посадочных мест которых превышают размеры посадочных мест кристаллов.
Минимальные размеры подложки, на которой могут быть расположены кристаллы гибридной микросхемы и осуществлена разводка соединительных проводников между кристаллами, а также необходимое число выводов микросхемы оказывают основное влияние на выбор корпуса.
При этом выбирается корпус, размеры внутренней полости которого позволяют установить не более одной подложки минимальных размеров.
После выбора корпуса размеры подложки уточняются таким образом, чтобы они соответствовали размерам внутренней полости корпуса.
Уточненные размеры подложки, как правило, превышают минимально допустимые, а увеличение шагов расположения вертикальных и горизонтальных линий открывает возможность использования проводников и расстояний междуними, превышающих минимально допустимые, что позволяет увеличивать коэффициент выхода годных коммутационно-пленочных плат, а, следовательно, и коэффициент выхода годных МСБ. Помимо размеров подложки и корпуса при проектировании МСБ, прогнозируется масса и габариты.
Габаритный размер МСБ с планарными выводами по ширине складывается из ширины корпуса и длины отформованного вывода. Габаритные размеры МСБ со штыревыми выводами по длине и ширине соответствуют габаритным размерам корпуса. Габаритный размер такой МСБ по высоте превышает высоту корпуса на величину зазора между подложкой и корпусом. Масса МСБ складываетсяиз масс корпуса, подложки, клея для крепления подложки к корпусу и кристаллов.
Масса кристаллов и корпуса является справочным параметром, массы подложки и клея могут быть вычислены путем перемножения их геометрических размеров наих соответствующую удельную плотность.
Таким образом, зная уровень интеграции проектируемой МСБ, конструктивные параметры используемых кристаллов и разрешающую способность пленочной технологии, можно определить размеры подложки и выбрать тип корпуса, минуя стадию разводки соединительных проводников.
Уточнение выбора корпуса МСБ производится на последующих стадиях проектирования на основе расчетов тепловых расчетов (режимов) внутри МСБ, оценки помехоустойчивости и герметизации. Схема конструкции МСБ на рис.3.
Содержание работы
Содержание работы заключается в изучении настоящих методических указаний, оценке (расчете) эффективности миниатюризации нескольких вариантов бортовых вычислительных машин, оценке уровня миниатюризации РЭА для конкретных вариантов функциональных узлов (т.е. необходимо найти варианты ФУ, подлежащие миниатюризации) и в выполнении оценочного расчета конструкций МСБ, подтверждающего возможность реализации ее конструкции для обеспечения требуемого уровня миниатюризации РЭА, обоснованного в предыдущих разделах работы. Вся работа состоит из 3-х разделов:
I. Пользуясь данными технико-экономическими показателями (I), сравнить несколько ВМ (бортовых) одинаковой производительности и одного объема памяти в микроэлектронном исполнении с аналогом в транзисторном исполнении и выбрать тип ВМ для заданных видов ЛА.
| I | II | ||||||||
| № пп | Вари- Атн | Масса кг | Объём Дм3 | Нара-ботка ч | Энерго-потреб. Вт | Стои-мость (усл. Ед) | j(Xj)1 | j(Xj)2 | j(Xj)3 |
| А | 4,5 | 9,2 | |||||||
| Б | 3,8 | 8,1 | |||||||
| В | 2,2 | 4,6 | |||||||
| Г | 13,6 | 19,3 | |||||||
| Д | 7,2 | 13,5 | |||||||
| Е | 12,1 | 18,6 | |||||||
| Ж | 11,6 | 15,8 | |||||||
| З | |||||||||
| И | |||||||||
| К |
Показатели качества
j(Xj)1- для ЛА I типа,
j(Xj)2- для ЛА Л типа,
j(Xj)3- для ЛА Ш типа рассчитываются (по заданию преподавателя).
Установить показатель качества аналога для всех трех объектов установки; произвести необходимые расчеты, пользуясь заданными условиями (Т - Э показатели).
Рассчитать показатели эффективности миниатюризации вариантов В.М. Сделать выбор ВМ, лучшей по показателям качества и эффективностиминиатюризации. Сделать выводы по расчетам.
П. Решить тестовую задачу по выбору номенклатуры функциональных устройств, подлежащих миниатюризации согласно исходным данным, представленным в таблице.
| i | mri | Si, т.р. | i | mri | Si, т.р. |
| 0,008 | 10,1 | 0,023 | 15,5 | ||
| 0,012 | 11,2 | 0,013 | 10,5 | ||
| 0,021 | 14,6 | 0,007 | 6,4 | ||
| 0,016 | 13,2 | 0,006 | 3,7 | ||
| 0,009 | 7,1 | 0,015 | 16,2 | ||
| 0,011 | 10,3 | 0,11 | 9,4 | ||
| 0,031 | 20,1 | 0,016 | 13,6 | ||
| 0,014 | 8,2 |
для SS1* = 85 т.р. и SS2* = 100 т.р.
Реализовав описанную выше процедуру выбора ФУ на ЭВМ, найти варианты ФУ, подлежащие миниатюризации. Сделать вывод о полученном повышении уровня миниатюризации для SS1* и SS2*.
Ш. Для заданного варианта принципиальной схемы узла и уровня интеграции (2,3), определить, минуя стадию разводки, размеры подложки МСБ и тип корпуса.
Порядок выполнения работы
- получить исходные данные у преподавателя для выполнения работы;
- изучить исходные данные по каждому разделу работы и методы решения поставленных задач •
- предложить варианты решения поставленных задач;
- произвести расчеты;
- составить отчет с выводами и рекомендациями, графическим материалом.
Содержание отчета
Отчет должен содержать:
- исходные данные для выполнениявсех разделов работы;
- необходимые определения терминов;
- название, обозначения и расчетные формулы всех коэффициентов, по которым производятся все оценки и расчеты;
- сводные таблицы;
- эскизы;
- выводы и рекомендации.
Контрольные вопросы
1. Что такое эффективность миниатюризации РЭА и какими показателями пользуются для ее оценки?
2. Как оценивается эффективность миниатюризации РЭА (методика)?
3. Что такое уровень миниатюризации?
4. Когда производится оценка уровня миниатюризации?
5. Как применяется определение коэффициента применяемости ИС?
Общий коэффициент применяемости интегрированных элементов?
6. Область допустимых значений уровней? (В каких пределах он может быть?)
7. Как используются (для чего) показатели уровня миниатюризации?
8. Как формулируется задача миниатюризации РЭА? Ее суть.
9. Какой вы знаете метод решения задачи?
10. Назовите некоторые особенности конструирования МСБ?
11. Какие исходные данные необходимы для оценочного конструктивного расчета МОЕ?
12. Что (какие параметры) определяются в процессе оценочного расчета МСБ?
13. Для чего выполняется оценочный расчет МСБ и на какой стадии проектирования это делается.
Литература
1. Жигадов А.Т. и др. Конструирование и технология печатных плат. М. Высшая шкода, 1973г.
2. Федулова А.А., Котов Е.П., Явич Э.Р. Многослойные печатные платы.М., Сов.радио, 1977.
3. ОСТ 4ГО.010 209. Плата печатные. Конструирование.
4. Технология ЭВА, оборудование и автоматизация. М., Высшая школа,
1984.
5. Михайлов А.В., Савин С.К. Точность радиоэлектронных устройств. М., Машиностроение, 1976.
6. Федосеев Д.Н. Качество сборочных операций. Л., Машиностроение, T97I.
7. ПименовА.И. Погрешности деталей механизмов РЭА.М., Сов. радио, 1975.
8. ОСТ 4ГО.101.043. Узлы и блоки РЭА на микросхемах. Микросборки. Конструирование.
9. ОСТ 4ГО.054.240. Микросборки. Платы толстопленочные. Типовые технологические процессы.
10. Компоновка и конструкции микроэлектронной аппаратуры: справочное пособие. /Под ред. Б.В.Высоцкого, В.Б.Пестрякова, О.А.Пятлина/ М.,Радио и связь, 1962,208с.
11. Гелль П.П., Иванов-Есипович Н.К. Конструирование и микроминиатюризация радиоэлектронной аппаратуры. Л., Энергоатомиздат, ЛО, 1984,535с.
