Схема с общим эмиттером (ОЭ)

Напряжение входного сигнала Uвх подается на эмиттер и базу, источник коллекторного питания и сопротивления нагрузки Rнагр включен между эмиттером и коллектором. Отличие схемы с ОЭ от схемы с ОБ состоит в том, что входным током в ней является малый по значению ток базы. Ток эмиттера I_Э обусловлен количеством дырок, переместившихся через эмиттерный переход в базу, и под действием этого тока в цепи коллектора протекает ток Iк, почти равный току I_Э. Небольшая часть дырок рекомбинирует в области базы с электронами, образуется ток базы Iб, следовательно, через источник входного сигнала проходит только небольшой ток базы Iб=I_Э-Iк, поэтому входное сопротивление схемы транзистора с ОЭ значительно выше входного сопротивления схемы с ОБ и составляет сотни Ом. Выходное сопротивление в схеме с ОЭ достигает десятков килоОм.

Важнейшим достоинством схемы с ОЭ (в отличие от схемы с ОБ) является большойкоэффициент усиления по току, представляющий отношение приращения тока коллектора Iк к приращению тока базы Iб и обозначаемый b:

. (5)

Коэффициент усиления по напряжению для схемы с ОЭ имеет примерно такую же величину, что и для схемы с ОБ. Это объясняется тем, что выходное напряжение у обеих схем зависти от одних и тех же величин- переменной составляющей коллекторного тока и сопротивления нагрузки, которые примерно равны.

Коэффициент усиления по мощности для схемы с ОЭ, равный Кр=bК_U, значительно выше, чем для схемы с ОБ. Важной особенностью схемы с ОЭ является то, что выходное напряжение имеет сдвиг по фазе 180⁰ по отношению к входному напряжению. Это объясняется следующим образом. На эмиттерно- базовый переход подается напряжение U_Э+Uвх. Если напряжения U_Э и Uвх действуют согласно, т.е. на эмиттерно- базовый переход подается U_Э+Uвх, то из эмиттера в базу поступает больше дырок и соответственно увеличивается I_Э, Iк и Uвых. Это может быть тогда, когда подается минус Uвх на базу транзистора. Следовательно, подача отрицательного потенциала на базу транзистора вызывает увеличение выходного напряжения. Обратная картина получается при подаче положительного потенциала (+Uвх) от генератора сигналов G, так как при этом на эмиттерно- базовый переход подается напряжение U_Э-Uвх, уменьшается I_Э и Iк и соответственно выходное напряжение. Схема с ОЭ позволяет питать эмиттерный и коллекторный переходы от одного источника напряжения, так как на базу и коллектор подаются потенциалы одного знака, что является ценным свойством схемы. Изложенные свойства данной схемы показывают ее универсальность, в следствии чего она получила широкое применение в электронных защитах электроснабжения, автоматике, телемеханике и др.