Полевой транзистор с “плавником”
Настал конец масштабирования. Переход от планарной технологии к трёхмерной структуре затвора. Это поможет достигнуть 10нм.
2012-й год
Intel - 22 нанометра процессор, также TSMS (Тайвань),
Samsung Electronics -14 нанометра на этапе, предшествующий изготовлению фотошаблона для печати чипов
Рис. 11.5 Транзисторы с 3-х мерной структурой