Туннелирование

Сильному электрическому полю в полупроводнике соответствует большой наклон энергетических зон (рис.4.2).

При этом элект­роны могут проходить сквозь потенциальный барьер без изменения своей энергии — туннелировать (туннельный пробой).

Туннельный пробой в п/п проявляется при очень больших напряженностях электрического поля Е=10⁶в/м-Si, Е=10⁵ в/м – Ge.

При туннельном пробое резко возрастает концентрация носителей заряда.

Иными словами электрическое поле “вырывает” валентные электроны.

Туннельный пробой – обратимый (не приводит к разрушению п/п, но при превышении допустимого тока I_доп (когда нарушается тепловой баланс) переходит в тепловой пробой.

Рис. 4.2 Наклон энергетических зон при воздействии сильного электрического поля

Фотоэлектрические явления в п/п.