На рис.8.25 изображено условное обозначение полевого транзистора и схема его подключения к внешним источникам питания. МДП-транзистор с индуцированным каналом n -типа имеет четыре электрода затвор (З), сток (С), исток (И) и подложку (П). Полупроводник состоит из пластины дырочной проводимости p (подложки П), в которую встроены две пластины с электронной проводимостью n, соединённых с электродами (С) и (И).
Рис.8.25. Условное обозначение полевого МДП - транзисторас индуцированным каналом n-типа и схема его подключения к внешним источникам питания
При отключенном источнике Ези и, включенном в прямом направлении относительно подложки (П) источнике Еси, между пластинами n проводимости образуется n -канал. Транзистор находится в полуоткрытом состоянии. Между стоком и истоком можно измерить сопротивление канала Rк, по которому проходит стоковый ток Iс.
При переключении питания Ези с (+) на (-), n -канал между стоком (С) и истоком (И) обогощается или обедняется электронами n. Стоковый ток Iс при этом будет либо увеличиваться до полного открытия транзистора, либо уменьшаться до полного закрытия транзистора.
|
|
На рис.8.26 приведены статические характеристики транзистора.
Рис.8.26. Совмещение выходных характеристик полевого МДП - транзисторас индуцированным каналом n-типа Iс = f(Uси) при Uзи = Const с входной характеристикой транзистора Iс = f(Uзи) при Uси = Const.