Случай 1

Б-Э Т_м – открыт

Т₂ и Т₁ –закрыт

Т₃ и Д – открыт

Выход – ВП

Открывается переход база – эмиттер транзистора Т_м. Транзисторы Т₂ и Т₁ закрываются на базу Т_3, через сопротивление R₂ действует открывающее напряжение, что приводит к открытию Т₃ и Д, на выходе высокий потенциал.

Случай 2. На обоих входах действует положительный сигнал.

Б-Э Т_м – закрыт

Б-К Т_м, Т₂, Т₁ -открыт

Т₃ и Д – закрыт

Выход – НП

Как и ранее, переход б - э транзистора Т_м закрывается, напряжение на базе насыщенного транзистора увеличивается до , что приводит к открытию транзистора Т₁ и Т₂ транзистор Т₃ и диод закрываются.

Покажем, что во втором случае транзистор Т₃ действительно закрыт.

, т.к. необходимо учитывать переход б – э транзистора Т₃ и p-n переход диода Д.

Таким образом, на выходе действует остаточное напряжение на коллекторе насыщенного Т_1, принимаемое за низкий потенциал. Транзистор Т₂ предназначен для повышения нагрузочной способности и увеличения статической помехоустойчивости. Транзистор Т₂ обладает усилительными свойствами, он усиливает открывающий базовый ток в раз.

Где - это коэффициент усиления транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.

Увеличение базового тока, протекающего в базу Т_1, приводит к переводу транзистора Т₁ в более глубокую степень насыщения. В результате и повышается нагрузочная способность до n = 10 и статическая помехоустойчивость.

В закрытом состоянии схемы транзистор Т₃ – открыт и сопротивление R₁ и R₂ оказываются подключенными параллельно, что приводит к уменьшению выходного сопротивления схемы.