2015-05-12
738
Конструкция таких излучателей представляет собой многослойную систему, состоящую из подложки (чаще всего это стекло), полупрозрачного проводящего слоя, нанесённого на подложку порошкового полупроводникового излучателя, диэлектрический защитный слой и металлический электрод.
Порошковый полупроводниковый материал скреплён связывающим диэлектрическим веществом. Каждое зерно полупроводникового материала изолировано от остальных. Такая конструкция может работать только на переменном токе. Под воздействием приложенного напряжения атомы, входящие в состав полупроводникового материала, ионизируются. Затем происходит процесс рекомбинации носителей заряда с выделением квантов света. Увеличение излучения определяется шириной запрещённой зоны, а также энергетическими уровнями.
Длительность послесвечения определяется временем жизни неосновных носителей заряда. Основная особенность таких излучателей состоит в том, что они могут работать только при переменном напряжении, причём это переменное напряжение должно быть больше напряжения ионизации. Всвязи с этим переменное напряжение колеблется в пределах от нескольких десятков до нескольких сотен вольт.
|
|
|
Недостаток: с течением времени происходит снижение интенсивности излучения (с течением времени ухудшаются параметры полупроводника).
Яркостная характеристика:
С повышением частоты интенсивность света увеличивается.
