Параметры транзистора в программе моделирования

В состав параметров транзисторов включены следующие (собраны в пяти окнах-закладках):

IS – обратный ток коллекторного перехода;

F – коэффициент усиления тока в схеме с ОЭ;

BR – коэффициент усиления тока в схеме с ОЭ при инверсном включении транзистора (эмиттер и коллектор меняются местами);

RB – объемное сопротивление базы, Ом;

RC – объемное сопротивление коллектора, Ом;

RE – объемное сопротивление эмиттера. Ом;

CJE – емкость эмиттерного перехода при нулевом напряжении, Ф;

CJC – емкость коллекторного перехода при нулевом напряжении, Ф;

CJS – емкость коллектор-подложка, Ф;

TF – время переноса заряда через базу, с;

TR – время переноса заряда через базу в инверсном включении, с;

ME – коэффициент плавности эмиттерного перехода;

MC– коэффициент плавности коллекторного перехода;

VA – напряжение Эрли, близкое к параметру U k max, В;

ISE – обратный ток эмиттерного перехода, А;

IKF – ток начала спада усиления по току, близкое к параметру I вп. вх, А;

NE – коэффициент неидеальности эмиттерного перехода;

VJC – контактная разность потенциалов перехода база-коллектор, В;

VJE – контактная разность потенциалов перехода база-эмиттер, В.

Дополнительные параметры имеют следующее назначение:

NF — коэффициент неидеальности в нормальном режиме;

NR — коэффициент неидеальности в инверсном режиме;

IKR — ток начала спада коэффициента усиления тока в инверсном режиме, А;

NC — коэффициент неидеальности коллекторного перехода;

RBM — минимальное сопротивление базы при больших токах, Ом;

IRB – ток базы, при котором сопротивление базы уменьшается на 50% от разницы RВ - RВМ, А;

XTF — коэффициент, определяющий зависимость времени ТF переноса зарядов через базу от напряжения коллектор-база;

VTF — напряжение коллектор-база, при котором начинает сказываться его влияние на TF, В;

PTF — дополнительный фазовый сдвиг на граничной частоте транзистора град.;

VJS — контактная разность потенциалов перехода коллектор-подложка, В;

MJS — коэффициент плавности перехода коллектор-подложка;

XCJC — коэффициент расщепления емкости база-коллектор;

FC — коэффициент нелинейности барьерной емкости прямо смещенных переходов;

EG — ширина запрещенной зоны, эВ;

XTB — температурный коэффициент усиления тока в нормальном и инверсном режимах;

ХТI — температурный коэффициент тока насыщения;

KF — коэффициент фликкер-шума;

AF — показатель степени в формуле для фликкер-шума;

ТNОМ — температура транзистора.