При наличии на поверхности полупроводника инверсного слоя по нему вдоль поверхности могут проходить токи, т. е. могут существовать каналы поверхностной электропроводности. При оценке проводимости канала поверхностной электропроводности необходимо учитывать, что концентрация носителей заряда является величиной переменной по глубине канала и подвижность носителей заряда в канале может значительно отличаться от подвижности тех же носителей в объеме полупроводника из-за дополнительного рассеяния носителей на поверхности кристалла.
Проводимость тонкого слоя (толщиной dz) канала, например, с электропроводностью р-типа
где — ширина канала; — длина канала.
Проводимость канала толщиной W
его сопротивление
Вместо сопротивления при оценке токов в канале пользуются другим параметром — удельным сопротивлением слоя ,аналогичным удельному поверхностному сопротивлению диэлектриков, т. е. удельным сопротивлением слоя называют сопротивление квадрата этого слоя току, проходящему между двумя противоположными сторонами квадрата.
|
|
Тогда, используя удельное сопротивление слоя, запишем
где — удельное сопротивление слоя или канала
поверхностной электропроводности, Ом.
Список литературы
1. Чередниченко В.С. Материаловедение. Технология конструкционных материалов. М.: изд. «Омега», 2008
2. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы СПб.: Изд. «Лань», 2002