Виды паразитных связей

ПОБОЧНЫЕ ИЗЛУЧЕНИЯ РАДИЭЛЕКТРОННЫХ СРЕДСТВ

В любом радиоэлектронном средстве (РЭС), наряду с предусмотренными схемой токопроводами (например, дорожками плат), всегда существуют многочисленные побочные пути распространения электрических, в том числе, опасных сигналов. Эти пути создаются в результате паразитных связей и наводок.

Первопричиной паразитных связей и наводок являются поля, создаваемые электрическими зарядами и токами в цепях радиоэлектронных устройств и действующие на элементы и цепи других устройств и систем.

Для функционирования радиоэлектронных устройств, в первую очередь, для электропитания, необходимо гальваническое соединение схем. Гальванические соединения (иное название – связь через общее сопротивление) создают дополнительные пути распространения сигналов одних узлов и блоков по цепям других устройств.

Для снижения уровня паразитных связей и наводок, ухудшающих качественные характеристики РЭС, применяются специальные меры. Чем жестче требования к характеристикам средств, тем весомее затраты на нейтрализацию паразитных связей и наводок.

Известны три вида паразитных связей:

емкостная связь;

индуктивная связь;

гальваническая связь.

Внутри каскадная емкостная связь образуется в результате воздействия электрических полей между любыми элементами схемы (проводами, печатными дорожками, радиоэлементами и др.) и корпусом. Величина паразитной емкости пропорциональна диэлектрической проницаемости среды, диаметру проводов и обратно пропорциональна расстоянию между проводами (см. формулу расчета емкости конденсатора). Максимальная паразитная емкость возникает между проводами катушек, в которых витки наматываются вплотную друг к другу и пропитываются лаком (технология заводского изготовления трансформаторов различного назначения).

Уровень паразитной емкостной связи между рядом расположенными РЭС (узлами, блоками, устройствами) определяется величиной их емкостей, которые называются собственными. Собственную емкость имеет любой реальный объект. Собственные емкости узлов и блоков РЭС определяются экспериментально.

Индуктивная связь образуется в результате воздействия магнитного поля одного элемента схемы на характеристики и параметры других элементов. Величина паразитной индуктивной связи зависит от взаимного расположения и конфигурации проводников, параметров протекающих по ним токов и сопротивлений цепей, и проявляется тем сильнее, чем большая часть магнитного поля тока одной цепи пронизывает проводники другой цепи.

Гальваническая связь образуется за счет использования несколькими радиотехническими устройствами общего источника питания. Общими сопротивлениями, входящими в состав нескольких цепей, могут быть внутренние сопротивления устройств питания и управления, сопротивления соединительных проводов.

Паразитные связи могут являться причиной образования неконтролируемых технических каналов утечки информации.