Короткі теоретичні відомості. Паралельний контур загального вигляду (рисунок 3.1.0) складається з ланок реактивного x1, x2 і активного r1

Паралельний контур загального вигляду (рисунок 3.1.0) складається з ланок реактивного x₁, x₂ і активного r₁, r₂ опору включених рівнобіжно один з другим до джерела коливань з напругою . В теорії використовуються частинні І, ІІ та ІІІ види загального контуру. Розгляд паралельного контуру І виду приймається, коли в одній гілці зосереджена індуктивність з її активним опором дроту, а в іншій ємність конденсатора. Контур ІІ та ІІІ виду розглядається при неповному включенні контуру до джерела частиною котушки індуктивності чи ємності для узгодження по опору без зміни розстройки контуру.

0 І ІІ ІІІ

Рисунок 3.1 – Паралельний коливальний контур. Схема електрична принципова.

Зменшення амплітуди нижче обумовленого рівня (наприклад, чи 0,5) характеризує смугу загородження сигналу – різницю частот зрізу ω2 - ω1=Δω.

Рисунок 3.2 – Амплітудно-частотна характеристика (АЧХ) паралельного коливального контуру.