Уменьшение концентрации неосновных носителей около границы обедненного слоя при наложении обратного напряжения называется экстракцией

На рис. 4.56 схематично показано распределение концентрации носителей при прямом (4.56а) и обратном (4.56б) включении перехода. Область обедненного слоя заштрихована, поскольку распределение носителей в ней мы не рассматриваем. Увеличение концентрации основных носителей в областях, прилегающих к обедненному слою (см. рис.4.56а) объясняется тем, что для сохранения нейтральности при увеличении концентрации неосновных носителей, например, электронов в р полупроводнике D n (х) в область около обедненного слоя приходят дырки.

Изменение напряжения, прикладываемого к p-n переходу, изменяет его ширину. При прямом включении ширина обедненного слоя уменьшается, а при обратном – увеличивается. Этот эффект описывается формулой (5.83), в которую необходимо вместо j₀ подставить j₀ – U.:

(5.91)