2015-06-26
663
Разработка и изучение св-в контакта п\п и п\п привело к бурному развитию микроэлект-ки,уменьш.использ.электроннх ламп.Контакт 2-х проводников n и p типа.
Такие переходы м.б,гомопереходы,когда материал n и р обл.одинак.гетеропереходы,когда материал различный.Если проведем в контакт 2 п\п е-н в n обл.много,в а р обл.мало,а дырок в р обл.больше,чем в n обл.При контактных обл-ях в р обл. формир-ся «-» заряд,а в n обл. «+» заряд.
При высокой степени мигрирования,такой слой сос-ет 10 микрон.Котакт облад.выпрям-ми св-ми.Приложим внеш.поле,увелич.получ.потенц.барьера е-ны оттягив-ся от барьерного слоя,потоки е-ов и дырок уменьш.Если меняем полярность,инжектир. Е-ны в + объем.заряд,уменьш.потен.барьер.В n и з обл.ширина ЗЗ одинак.1)набор п\п позвол.создав.любые сочетания материалов с любым типом проводимости.2)при контакте п\п-п\п сущ-ет возможн.создав.контактные слои любых линейных размеров,т.е изменение типов переходов быть резким или плавным.особенно это касатеся гетеропереходов.
