Полупроводниковые лазеры с электронной накачкой. Принцип действия и параметры

п/п находят со временем все больше применение в оптотехнике и квантовой электронике.Что я вляется необходимостью освоения оптич. диат.:

1) Высокая частота излучения: около 10¹⁴Гц.- выше информат-ть оптич. каналов.

2) λ очень мала => позволяет увеличивать концентрацию эл. в пространстве.

3) Информация передается с поглощением фотонов => ē обладают важными св-ми: это позволяет передавать по 1-му световоду группу сигналов.

Для провокации процесса рекомбинации:

1 способ: катодолюминисценция: один из способов создания неравновестных ē и р – использование ускоренных ē.

2 способ: источник на основе электролюминисценции: процесс рекомбинирование носителей в обл. р-n- перехода, инжектируемых с электродов.

Выходные параметры данных способов имеют различие:

1) Режим работы: импульсный, непрерывный, импульсно-переодический.

2) КПД: катодолюминисценция: около 35%

3) спектр излучения источника

4) пред. мощности излучения. мощность генерир-го п/п ē-ми до 20 Вт.

Первый п/п лазер с электронным возбуждением был создан в 1964 Басовым,Богдановичем. На основе кристалла CdS.

Первая конструкция лазера была примитивна:

Называлась поперечной схемой, где происходило возбуждение п/п пластины.

А в 60-х годах принята попытка продольной схемы возбуждения.

п/п пластину возбуждают острофокусированным пучком, кот. попадает на тонкую пластину (30-50 мкрн). она с одной стороны покрыта отражающей поверхностью, а вторая сторона прозрачна.

Резанатор создавался напылен. слоем, и генерация в направлении падения пучка.

Здесь появилась возможность сканирование и модуляции лазерного излучения путем управления ē-м пучком.