Светодиоды

п-н-переход может быть использован для получения света. практически для того чтобы получить светодиод, нужно резко увеличить концентрацию активаторов. При увеличении концентрации активаторов до 10¹⁸-10¹⁹ приложение поля в прямом направлении приводит к созданию условий, при которых в области контакта возможна рекомбинация электронов и дырок.

при приложении поля в прямом направлении величина потенциального барьера уменьшается, появляются потоки э. и д.. В области контактного слоя расщепление квазистационарного уровня Ферми = eU.

L_n,L_p-диффузионные длины, которые соответствуют уменьшению концентраций э. и д. в e раз. Наличие двух потоков приводит к рекомбинации э. и д. с излучение квантов света.

F_n^ЗВ-F_p^ЗВ<E_g

В случае гомоперехода спектр излучения будет смещен в длинноволновую сторону от края собственного поглощения. Увеличивая разность потенциалов, можно увеличить потоки э. и д. и увеличить интенсивность рекомбинационного излучения. Предельный случай нагрузки светодиода: когда потенциальный барьер оказывается сглаженным, при этом получаются max потоки э. и д. и max интенсивность излучения. Потери энергии: 1.Безизлучательная рекомбинация,2. потери на сопротивлении движению электронов в неконтактной области в полупроводнике(нагрев кристаллической решетки)