Расчет элементов ДТЛ ПН

Начало как в инверторе. Для R_К I_КНАС £ 20% I_{к доп}. Отсюда находим R_к. Чем меньше величина процентов, тем лучше коэффициент разветвления.

Рассмотрим режим А работы диода.

При подаче ВУ на вход схемы входные диоды закрыты и насыщение транзистора обеспечивает два резистора ‑ R_б и R_С.

((Е_& - U_бэ)/(R_б + R_&)) - I_RC ³ I_бн.

Выбор Е_& зависит от необходимого режима работы:

а) если нужен режим Б, то Е_К=Е_&;

б) если U_А < U_Х,В, то в этом случае диоды будут работать в режиме А.

Рассмотрим режим Б работы диода:

При подаче ВУ диоды открыты, следовательно

U_А=U_Х,В + U_Д; ((U_А - U_БЭ)/R_Б) - I_Rс ³ I_Б,Н.

I_ВХ=I_R& - I_Rб £ I_{Д ДОП} или I_{ВЫХ ДОП} (источника).

Когда на входе НУ аналогично справедливы следующие соотношения:

U_А=U_Х,В + U_Д;

I_ВХ=I_R& - I_Rб £ I_{Д ДОП} или I_{ВЫХ ДОП} (источника);

I_Rс - I_rб > I_кт; U_Б < 0;

Расчет элементов ДТЛ ПТ.

Рассчитывается практически так, как и ДТЛ ПН. Входные диоды работают в режиме А, сопротивление R_& обеспечивает насыщение.