2015-07-04
948
Исток и Сток выполнены в виде сильнолегированных 
-областей в слаболегированной подложке 
-типа (
). Подложка соединена с Истоком. Затвор представляет собой тонкую пленку алюминия, напыленную на поверхность диэлектрика (двуокись кремния).
При подаче на Затвор достаточно большого отрицательного напряжения 
(“минус” на Затворе, “плюс” на Истоке и Подложке) в кристалле возникает сильное поперечное поле 
, которое “вытягивает” электроны из-под Затвора вглубь кристалла.
Таким образом, под Затвором увеличивается концентрация дырок, т.е. изменяется тип электропроводности (с n на p) – происходит так называемая инверсия. Инверсия происходит при напряжении 
.
Возникший тонкий слой p-типа и образует канал, который изолируется от кристалла значительным по толщине обратно смещенным переходом.
С ростом отрицательного напряжения 
концентрация дырок в канале, а, значит, и его проводимость возрастают, что соответствует режиму обогащения. В режиме обеднения (“плюс” на Затворе) такой транзистор работать не может, т.к. не будет изоляции канала от кристалла незначительным по толщине прямо смещенным переходом.
Обозначение:
Стрелка – это Подложка. В данном случае Подложка и Исток соединены.
