Схемы замещения и параметры транзистора

Рассмотрим два вида схем замещения: физические и формальные.

Физические схемы замещения составляют по физической модели транзистора. Малосигнальная, Т-образная, физическая схема замещения транзисторов с ОБ и ОЭ приведены на рис.1.8.

а)	б)
Рис.1.8. Эквивалентные Т-образные схемы замещения транзистора, включенного по схеме: а) ОБ; б) ОЭ

Элементы этих схемах означают следующее:

- r _Б – объемное сопротивление области базы; объемными сопротивлениями областей эмиттера и коллектора пренебрегаем, т.к. их сопротивления малы;

- - дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода. Оно зависит от постоянной составляющей эмиттерного тока ;

.

(1.10)

Числовое значение лежит в пределах от единиц до десятков Ом;

- – дифференциальное сопротивление коллекторного перехода транзистора с ОБ, учитывает зависимость коллекторного тока от напряжения . Значения лежат в пределах 0,5-1 Мом;

- - дифференциальное сопротивление коллекторного перехода (включенного в обратном направлении) транзистора с ОЭ:

- и — это емкости эмиттерного и коллекторного переходов транзистора с ОБ. В схеме ОЭ: ;

- – зависимый источник тока, учитывает передачу эмиттерного тока через базу в область коллектора;

- - зависимый источник тока, учитывает управление тока коллектора током базы.

Формальные схемы замещения транзистора основаны на представлении транзистора в виде четырехполюсника. В настоящее время основными для биполярных транзисторов считаются H -параметры, обозначаемые буквой h или H., они наиболее удобны для измерения и обычно приводятся в справочниках.

Система уравнений, устанавливающая связь приращений токов и напряжений с h -параметрами, имеет вид:

(1.11) . (1.12)

Уравнениям (1.12) и (1.13) соответствует эквивалентная схема, изображенная на рис. 1.9.

Рис. 1.9.Эквивалентная схема транзистора с использованием h-параметров

h -параметры имеют следующие названия:

	- входное сопротивление транзистора при коротком замыкании на выходе для переменной составляющей тока;
	- коэффициент обратной связи по напряжению при холостом ходе на входе для переменной составляющей тока;
	- коэффициент передачи по току при коротком замыкании на выходе для переменной составляющей тока;
	- выходная проводимость транзистора при холостом ходе на входе для переменной составляющей тока.