2015-07-03
967
На рис.1.6. приведены входные характеристики: 
, при 
.
По внешнему виду входные ВАХ аналогичны прямой ветви ВАХ диода, поскольку они связаны с током через ЭП, смещенным в прямом направлении.
 |  |
| Рис.1.6.Входные характеристики транзистора в схеме с ОЭ | Рис.1.7.Выходные характеристики транзистора в схеме с ОЭ |
При 
, входная ВАХ транзистора совпадает с прямой ветвью ВАХ диода.
При 
входная характеристика сдвигается вправо, а ток базы уменьшается и при малых 
становится отрицательным, на величину тока I* к0. Уменьшение тока базы связано с эффектом Эрли и возрастанием напряжения U бэ за счет тока I к, протекающего через эмиттерный переход.
Семейство выходных характеристик 
, при 
показано на рис. 1.7. Выходной ток I к связан с движением неосновных носителей заряда через коллекторный переход, смещенный в обратном направлении.
Выходные характеристики транзистора включенного с ОЭ имеют ряд отличий по сравнению с транзистором, включенным по схеме с ОБ.
1. ВАХ транзистора с ОЭ смещаются вправо, т.к. U кэ= U кб+ U бэ.
2. При работе транзистора в активном режиме наклон выходных характеристик значительно больше, чем в схеме с ОБ. Это связано с модуляцией толщины базы и возрастанием U бэ за счет тока I к протекающего через эмиттерный переход. Для учета этого эффекта, в выражение 
, вводят дополнительное слагаемое:
 , | (1.8) |
– коэффициент передачи тока базы, 
- дифференциальное сопротивление коллекторного перехода транзистора с ОЭ.
3. При U кэ > U кэmax, происходит пробой коллекторного перехода, ток I к резко возрастает.
4. При I б = 0, через переход протекает тепловой ток: I кэ = I *кэо>> I кэо
Усилительные свойстватранзистора,включённого сОЭ, характеризуются параметром 
– коэффициент передачи тока базы. Различают три коэффициента передачи тока базы:
Статический коэффициент передачи тока базы - 
.
Дифференциальный коэффициент передачи тока базы: 
. (1.9)
Динамический коэффициент передачи тока базы:
, (
=(1+ β) 
> ),
где tb - постоянная времени транзистора включенного по схеме с ОЭ.
