Вольтамперные характеристики транзистора в схеме с ОЭ

На рис.1.6. приведены входные характеристики: , при .

По внешнему виду входные ВАХ аналогичны прямой ветви ВАХ диода, поскольку они связаны с током через ЭП, смещенным в прямом направлении.


Рис.1.6.Входные характеристики транзистора в схеме с ОЭ	Рис.1.7.Выходные характеристики транзистора в схеме с ОЭ

При , входная ВАХ транзистора совпадает с прямой ветвью ВАХ диода.

При входная характеристика сдвигается вправо, а ток базы уменьшается и при малых становится отрицательным, на величину тока I* _к0. Уменьшение тока базы связано с эффектом Эрли и возрастанием напряжения U _бэ за счет тока I _к, протекающего через эмиттерный переход.

Семейство выходных характеристик , при показано на рис. 1.7. Выходной ток I _к связан с движением неосновных носителей заряда через коллекторный переход, смещенный в обратном направлении.

Выходные характеристики транзистора включенного с ОЭ имеют ряд отличий по сравнению с транзистором, включенным по схеме с ОБ.

1. ВАХ транзистора с ОЭ смещаются вправо, т.к. U _кэ= U _кб+ U _бэ.

2. При работе транзистора в активном режиме наклон выходных характеристик значительно больше, чем в схеме с ОБ. Это связано с модуляцией толщины базы и возрастанием U _бэ за счет тока I _к протекающего через эмиттерный переход. Для учета этого эффекта, в выражение , вводят дополнительное слагаемое:

(1.8)

– коэффициент передачи тока базы, - дифференциальное сопротивление коллекторного перехода транзистора с ОЭ.

3. При U _кэ> U _кэmax, происходит пробой коллекторного перехода, ток I _к резко возрастает.

4. При I _б= 0, через переход протекает тепловой ток: I _кэ= I ^*_кэо>> I _кэо

Усилительные свойстватранзистора,включённого сОЭ, характеризуются параметром – коэффициент передачи тока базы. Различают три коэффициента передачи тока базы: