2015-07-03
766
Входные характеристики транзистора с ОБ: 
при 
(рис.1.4).
По внешнему виду входные ВАХ подобны прямой ветви ВАХ диода, поскольку они связаны с током ЭП, который смещен в прямом направлении. Все ВАХ транзистора независимо от знаков обычно строят в первом квадранте.
Если 
- входная ВАХ транзистора аналогична прямой ветви диода.
Если 
- входная ВАХ смещается влево. Это объясняется эффектом модуляции ширины базы (эффект Эрли): с ростом коллекторного напряжения ширина коллекторного перехода увеличивается, в основном, в область базы, ширина базы уменьшается, растет градиент концентрации неосновных носителей в базе, ток эмиттера возрастает, а входные ВАХ идут левее.
 |  |
| Рис. 1.4. Входные характеристики транзистора в схеме с ОБ | Рис. 1.5. Выходные характеристики транзистора в схеме с ОБ |
На рис.1.5. показано семейство выходных характеристик: 
при 
.
По внешнему виду выходные характеристики подобны обратной ветви ВАХ диода, поскольку они связаны с током обратно смещенного КП.
При работе транзистора в активном режиме U кб>0, характеристики проходят почти параллельно оси абсцисс. Небольшой наклон выходных ВАХ, связан с эффектом Эрли. Для учета этого эффекта, в выражение 
, вводят дополнительное слагаемое:
 , | (1.6) |
где 
– дифференциальное сопротивление коллекторного перехода транзистора в схеме с ОБ
Когда I э = 0 (цепь эмиттера разорвана), выходная характеристика определяется тепловым током обратно смещённого коллекторного перехода (
).
При включении коллекторного перехода в прямом направлении U кб<0 ток неосновных носителей заряда через КП стремится к нулю.
При достаточно большом значении U кб начинается электрический пробой коллекторного перехода и ток коллектора резко возрастает.
Усилительным параметром транзистора в схеме собщей базой, является коэффициент передачи тока эмиттера 
. В зависимости от характера входного сигнала различают три параметра 
:
Статический – 
, где 
– абсолютные значения токов в рабочей точке.
Дифференциальный – 
, (1.7)
где Δ Iк и Δ Iэ –малые приращения относительно заданной рабочей точки
Динамический – 
, где 
– комплексные амплитуды токов. Это комплексный коэффициент передачи, зависящий от частоты; 
; 
- постоянная времени транзистора; D – коэффициент диффузии.
Очевидно, с ростом частоты входного сигнала: 1. коэффициент передачи транзистора уменьшается, из-за конечной скорости движения зарядов в базе; 2. появляется фазовый сдвиг (задержка) между выходным и входным токами.
