Задание на экспериментальное исследование и порядок их выполнения

Подключить стенд с помощью кабеля к лабораторной сети питания ± 15 В и включить макет (рис.3.1).

Задание 1. Исследовать статических характеристик транзистора, включенного по схеме с ОБ (схема исследования приведена на рис3.2а).

Вставить исследуемый транзистор в разъем на передней панели базой к заземленному контакту.

1.1 Исследовать входную характеристику U бэ =¦(I б) при, U кб= +5 В

Подключить вольтметр В7-58/2 к гнездам «U к». Переключатель «НАГРУЗКА R к» установить в положение «0», а переключатель «ПОЛЯРНОСТЬ РЕГУЛИРУЕМОГО ИСТОЧНИКА ТОКА» - в положение (-).

Выставить с помощью регулируемого источника напряжения U к=5 В.

Переключить вольтметр В7-58/2 на гнезда «U эб» и, изменяя входной ток I э с помощью регулируемого источника тока, снимать показания амперметра РА1 и соответствующие им значения напряжения U эб и заносить их в табл.4.1.

Таблица 4.1.

Iэ, mA            
Uэб, В            

1.2 Исследовать семейство выходных характеристик транзистора.

I к = ¦(U кб), при I э= 6; 4; 2; 0 mA.

Для этого подключить вольтметр В7-58/2 к гнездам «U к», выставить ток I э=6 mA и, меняя напряжение регулируемого источника напряжения от U к=10 В в сторону уменьшения, записать значения коллекторного тока, для указанных в табл.2 значений напряжения U кб.

Повторить измерения для значений тока эмиттера I э= 4; 2; 0 mA.

Данные эксперимента занести в табл.4.2.

Таблица 4.2.

U кб, В     …… 0, 5   -0.5 -0.6 -0.7
I э1=6 mA I к, mA                
I э2=4 mA I к, mA                
I э3=2 mA I к, mA                
I э4=0 mA I к, mA                

Построить графики входной и семейства входных характеристик для схемы включения с ОБ.

При построении вольт–амперных характеристик принято ток откладывать по оси ординат, а напряжение – по оси абсцисс, как, например, на рис.1.10.

Задание 2. Исследовать статических характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (схема исследования приведена на рис. 3.2,б)

Переключить вилку с исследуемым транзистором эмиттером к заземленному контакту.

Переключить «ПОЛЯРНОСТЬ РЕГУЛИРУЕМОГО ИСТОЧНИКА ТОКА» - в положение (+) ток базы; установить напряжение на коллекторе U к=5 В, а затем переключить вольтметр В7-58/2 к гнездам «U эб».

2.1. Исследовать входную характеристику. U бэ1(I б), U кэ= 5 В.

Изменяя ток базы с помощью регулируемого источника тока, регистрировать значение I б по миллиамперметру РА 1 и соответствующее ему напряжения U бэ. Полученные результаты занести в табл.4.3.

Таблица 4.3.

Iб, mA            
Uэб, В            

2.2. Исследовать семейство выходных характеристик.

I к2 (U кэ), при Iб = 0,03; 0,06; 0,09 mA.

Методика исследования выходных характеристик описана в п. 1.2.

Результаты занести в табл. 4.4.

Таблица. 4.4.

U кэ, В       ..…..  
I б1= 0 mA I к, mA          
I б2= 0,03 mA I к, mA          
I б3= 0,06 mA I к, mA          
I б4= 0,09 mA I к, mA          

Построить графики входной и семейство выходных характеристик для схемы включения с ОЭ.

Задание 3. Исследовать нагрузочную характеристику транзистора с ОЭ (схема исследования приведена на рис. 3.3).

Установить напряжение регулируемого источника Е к=10 В (контроль напряжения на гнездах «U к» при R к=0).

Переключателем «НАГРУЗКА Rк» установить сопротивление R к=1кОм.

Управляя коллекторным током с помощью регулируемого источника входного тока I б, начиная с I б=0, записать значения тока I к и напряжения U кэ в табл.4.5.

Повторить снятие нагрузочной характеристики для R к=3кОм и Е к=10В.

Построить график выходная ВАХ I к=¦(U кэ) в нагруженном режиме (R к) и сопоставить с теоретически рассчитанным графиком линии нагрузки.

Таблица 4.5.

Е к =10В U кэ, В 9, 5      
R к =1 кОм I к, мА          
R к =3 кОм I к, мА          

Задание 4. Расчет h-параметров биполярного транзистора в заданной рабочей точке.

Координаты рабочей точки транзистора: I б.рт=0,06мА, U кэ.рт=5Вдля схемы с ОЭ и I э рт =4мА, U кб рт =5В для схемы с ОБ.

Найти ее на построенных входных и выходных ВАХ.

По методике описанной в разделе 1.7. настоящего описания определить значения h -параметров транзистора: h 11 h 21; h 22 для схем с ОБ и ОЭ.


Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:  



double arrow
Сейчас читают про: