2015-07-03
293
6.3.1. Проведемо вимірювання величини вхідного і вихідного опорів каскаду підсилення. Таке дослідження проводиться за допомогою вимірювальних приладів, шляхом вимірювання величин струмів і напруг з послідуючим обчисленням відповідних опорів.
6.3.2. Дослідження коефіцієнта підсилення на одній з частот середньочастотного діапазону (500 - 8000 Гц) може бути забезпечено як за допомогою вимірювальних приладів, так і за допомогою осцилографа.
6.3.3. Дослідження зовнішньої характеристики підсилювача забезпечується за допомогою вимірювальних приладів, що приєднані до виходу підсилювача, шляхом зміни величини опору навантаження у діапазоні від режиму холостого ходу до 1 кОм. Для цього замість навантаження можна встановити потенціометр (Potentiometer). Після проведення замірів на одній з частот середньочастотного діапазону необхідно побудувати зовнішню характеристику і впевнитись у правильності визначення величини вихідного опору.
6.3.4. Дослідження амплітудно-частотних характеристик забезпечується за допомогою Bode Plotter при параметрах, що вказані на електронній схемі, але для режиму холостого ходу підсилювача. Після цього провести досліди впливу на АЧХ величин ємностей розділювальних конденсаторів і величини опору навантаження каскаду, шляхом його зміни в інтервалі 100 кОм - 4 кОм. Найзручніше це зробити за допомогою директиви Parameter Sweep.
6.3.5. Дослідження впливу транзисторів, що використовуються, рекомендується провести непрямим методом. Для цього необхідно врахувати той факт, що частотна характеристика транзистора, в основному, залежить від ємності колекторного переходу транзистора. Щоб дослідити її вплив на частотні характеристики транзистора, достатньо замість заміни транзисторів з послідуючим вибором їх робочої точки, змінювати величину зовнішньої ємності, підключеної між колектором і базою транзистора у межах від одиниць до тисяч пікофарад. Інший спосіб проведення цього досліду полягає в тому, що в опції Edit (Вікно властивостей діода) можна змінювати величину ємності колекторного переходу (B-C junction capacitance).
6.3.6. Провести досліди за пунктами 6.3.1- 6.3.5 для підсилювача на біполярному транзисторі (рис. 6.1).
6.3.7. Провести досліди за пунктами 6.3.1- 6.3.5 для підсилювача на польовому транзисторі (рис. 6.2).
6.3.6. Провести досліди за пунктами 6.3.1- 6.3.5 для підсилювача на біполярному транзисторі при включенні його за схемою із загальним колектором (схему розробити самостійно).
6 .4. Вимоги до звіту
6.4.1. Привести принципові схеми каскадів, що досліджуються.
6.4.2. Привести результати розрахунків величин вхідних і вихідних опорів для середньочастотного діапазону частотної характеристики каскаду.
6.4.3. Привести графіки зовнішніх характеристик каскадів, що досліджуються, з поясненнями отриманих результатів.
6.4.4. Дати приклади амплітудно-частотних характеристик каскадів, що заміряні за допомогою Bode Plotter, з поясненням впливу розділювальних конденсаторів.
6.4.5. Дати приклади амплітудно-частотних характеристик каскадів, що заміряні за допомогою Bode Plotter, з поясненням впливу ємностей транзисторів.
