7.4.1. Привести результати проведених дослідів.
7.4.2. Побудувати графіки отриманих залежностей для кожного досліду.
7.4.3. Дати порівняльну характеристику двох типів підсилювачів і детально обґрунтувати отримані результати.
Завдання до самотестування і атестації
7.5.1. Обгрунтувати, чому знижується чутливість транзисторного каскаду при зміні параметрів елементів та робочої температури.
7.5.2. Розробити структурну схему підсилювача зі зворотним зв’язком і обґрунтувати вибір її складових.
7.5.3. Як можна обчислити величину контурного коефіцієнта підсилення на основі отриманих результатів?
Додаток
Таблиця варіантів до схем, що приведені на рис.7.1.
Номер варіанту | RК, кОм | RБ, кОм |
0.5 | ||
7.5 | ||
8.5 | ||
9.5 | ||
0.5 |
ЛАБОРАТОРНА РОБОТА № 8
Основи теорії зворотних зв’язків.
Вплив зворотних зв’язків на технічні характеристики підсилювача