1. Для зняття статичних характеристик транзистора скласти схему відповідно до рис. 4.1.
Рис.4.1
2. Зняти й побудувати амплітудну характеристику однокаскадного підсилювача на біполярному транзисторі при const. Результати занести до табл. 4.1.
Таблиця 4.1
, мВ | ||||||||||
, В |
3. Зняти й побудувати логарифмічну амплітудно-частотну характеристику (ЛАЧХ) підсилювача при В. Результати занести до табл. 4.2.
4. За амплітудно-частотною характеристикою визначити коефіцієнт підсилення на середніх частотах (1000 – 3000 Гц) та коефіцієнти частотних викривлень для Гц, кГц за формулами: , , де та коефіцієнти підсилення на відповідних частотах.
Таблиця 4.2
, Гц | ||||||||||
1,9 | 2,18 | 2,6 | 2,9 | 3,08 | 3,48 | 3,7 | 4,3 | |||
, В | ||||||||||