1. Для зняття статичних характеристик транзистора скласти схему відповідно до рис. 4.1.

Рис.4.1
2. Зняти й побудувати амплітудну характеристику однокаскадного підсилювача на біполярному транзисторі
при
const. Результати занести до табл. 4.1.
Таблиця 4.1
, мВ
| ||||||||||
, В
|
3. Зняти й побудувати логарифмічну амплітудно-частотну характеристику (ЛАЧХ) підсилювача
при
В. Результати занести до табл. 4.2.
4. За амплітудно-частотною характеристикою визначити коефіцієнт підсилення на середніх частотах (1000 – 3000 Гц)
та коефіцієнти частотних викривлень для
Гц,
кГц за формулами:
,
, де
та
коефіцієнти підсилення на відповідних частотах.
Таблиця 4.2
, Гц
| ||||||||||
| 1,9 | 2,18 | 2,6 | 2,9 | 3,08 | 3,48 | 3,7 | 4,3 | ||
, В
| ||||||||||
|
, мВ
, В
, Гц






