На практиці кристалічна структура реальних кристалів відрізняється від ідеальної наявністю дефектів. Дефекти в кристалах – це порушення ідеальної кристалічної решітки. Вони складають незначну частину об’єму кристала, але суттєво впливають на його фізичні властивості, оскільки викликають пружні викривлення структури, що в свою чергу, зумовлює виникнення внутрішньої напруги в кристалі.
Дефекти поділяються на три типи: точкові, одновимірні та об’ємні.
Точкові дефекти, в свою чергу, поділяються на енергетичні, електронні та атомні. Енергетичні та електронні дефекти є предметом дослідження квантової теорії і тут не розглядаються.
Атомними дефектами здебільшого бувають:
1. Вакансії – відсутність частини атомів або іонів у вузлах ідеальної кристалічної решітки (рис. 10.3, а).
2. Домішки – заміщення частини атомів чи іонів основної речовини атомами або іонами іншої природи (рис. 10.3, б).
3. Дефекти втілення – інородні атоми або йони розташовуються між вузлами кристалічної решітки (рис. 10.3, в).
4. Дефекти зміщення – неправильні розташування атомів або іонів у решітці.
5. Порушення стехіометричних пропорцій між атомами складних речовин.
Одновимірні (лінійні) дефекти – це так звані дислокації. В реальних кристалах деякі атомні площини можуть обриватися. Краї таких обірваних (зайвих) площин утворюють так звані крайові дислокації (рис 10.3 г). Існують також гвинтові дислокації, пов’язані із закручуванням атомних площин у вигляді гвинтових східців, а також більш складні типи дислокацій. Іноді лінійні дислокації утворюються шляхом збільшення концентрації точкових дефектів, розташованих ланцюжком.
Двовимірні дефекти – це межі між ділянками кристала, повернутими на різні незначні кути одна відносно одної; дефекти розташування атомів у кристалі; межі електричних і магнітних моментів; антифазні межі у сплавах; межі між монокристалами у полікристалі.
Об’ємні дефекти. До них належать: скупчення вакансій, внаслідок чого утворюються пори та канали; частинки, що осідають на різних дефектах (декоруючі), наприклад, бульбашки газів, бульбашки маточного розчину; скупчення домішок у вигляді секторів та зон росту кристала.
Більш докладно з дефектами в кристалах можна познайомитися за допомогою [7].
Зміст
Вступ………………………………………………………………………............3
І. Основні положення молекулярної фізики та термодинаміки……………….4
1.1.Молекулярна фізика і термодинаміка, їх завдання та методи…………4
1.2.Макроскопічні параметри системи та їх мікроскопічне тлумачення….6
1.3.Основні газові закони. Рівняння стану ідеального газу.……………….8
1.4.Тиск газу з погляду молекулярно-кінетичної теорії1.………………...11
1.5.Молекулярно-кінетичне тлумачення температури.……………….......13
ІІ. Перший закон термодинаміки.………………...............................................15
2.1.Вступ.………………..................................................................................15
2.2.Внутрішня енергія термодинамічної системи.………………...............15
2.3.Теплота і робота як форми передачі енергії.………………..................17
2.4.Теплоємність.……………….....................................................................18
2.5.Перший закон термодинаміки.……………….........................................19
2.6.Ізопроцеси в ідеальних газах.………………...........................................20
ІІІ. Другий закон термодинаміки.………………...............................................25
3.1.Можливості першого закону термодинаміки.………………................25
3.2.Колові процеси.………………..................................................................25
3.3.Цикл Карно.………………........................................................................26
3.4.Нерівність Клаузіуса.………………........................................................29
3.5.Ентропія і її властивості.………………..................................................29
3.6.Другий закон термодинаміки...................................................................32
3.7.Статистичний характер другого закону термодинаміки.......................33
IV. Термодинамічні потенціали..........................................................................34
4.1.Загальні відомості......................................................................................34
4.2.Внутрішня енергія.....................................................................................35
4.3.Енергія Гельмгольца.................................................................................35
4.4.Ентальпія....................................................................................................36
4.5.Енергія Гіббса............................................................................................37
V. Третій закон термодинаміки...........................................................................38
VІ. Статистичні розподіли...................................................................................39
6.1.Короткі відомості з теорії ймовірностей.................................................39
6.2.Закон розподілу Больцмана......................................................................40
6.3.Закон розподілу Максвелла......................................................................42
6.4.Закон розподілу Максвелла-Больцмана..................................................46
6.5.Закон рівномірного розподілу енергії за ступенями вільності.............47
6.6.Внутрішня енергія і теплоємність ідеального газу................................49
VІІ. Явища переносу в газах................................................................................50
7.1.Середня довжина вільного пробігу молекули в газах............................50
7.2.Дифузія в газах..........................................................................................52
7.3.Внутрішнє тертя в газах............................................................................53
7.4.Теплопровідність газів..............................................................................54
VIII. Реальні гази..................................................................................................56
8.1.Відхилення реальних газів від ідеальності.............................................56
8.2.Рівняння Ван-дер-Ваальса........................................................................57
8.3.Ізотерми реальних газів. Фазові переходи..............................................59
8.4.Критична точка. Закон відповідних станів.............................................61
8.5.Внутрішня енергія реального газу...........................................................62
8.6.Ефект Джоуля-Томсона............................................................................63
8.7.Зрідження газів та отримання низьких температур...............................66
IX. Рідини..............................................................................................................67
9.1.Деякі властивості та будова рідини.........................................................67
9.2.Поверхневий натяг рідини........................................................................70
9.3.Поверхнево-активні речовини. Адсорбція..............................................72
9.4.Змочування.................................................................................................73
9.5.Тиск викривленої поверхні. Капілярні явища....................................... 75
Х. Кристали...........................................................................................................79
10.1.Особливості кристалічного стану..........................................................79
10.2.Класифікація кристалів...........................................................................80
10.3.Фізичні типи кристалів...........................................................................83
10.4.Дефекти в кристалах...............................................................................85