2017-12-14
819
В непрерывных попытках увеличить рабочий ток и уменьшить влияние короткоканальных эффектов КНИ МОП-транзисторы эволюционировали из классических планарных однозатворных приборов в трехмерные приборы с многозатворной структурой (двух-, трех- или четырехзатворные приборы). Необходимо отметить, что в большинстве случаев термин «двойной затвор» относится к единому электроду затвора, который выполнен на двух противоположных сторонах прибора. Аналогично, термин «тройной затвор» используется для единого электрода затвора, который охватывает три стороны транзистора. Исключением является MIGFET (FET структура с независимыми затворами), где два раздельных затворных электрода могут находиться под разными потенциалами. Также можно отметить, что одно и то же устройство может иметь несколько различных названий в литературе (Таблица 8.1).
Таблица 8.1. Названия приборов, используемые в литературе
| Название | Другие названия |
| MuGFET (Multiple-Gate FET) | Multi-gate FET, Multigate FET |
| MIGFET (Multiple Independent Gate FET) | Four-Terminal (4T) FinFET |
| Triple-gate FET | Trigate FET |
| Quadruple-gate FET | Wrapped-Arround Gate FET Gate-All-Around FET Surrounding-Gate FET |
| FinFET | DELTA (fully Depleted Lean channel TrAnsistor) |
| FDSOI (Fully Depleted SOI) | Depleted Silicon Substrate |
| PDSOI (Partially Depleted SOI) | Non-Fully Depleted SOI |
| Volume Inversion | Bulk Inversion |
| DTMOS (Dual Threshold Voltage MOS) | VTMOS (Varied Threshold MOS) MTCMOS (Multiple threshold CMOS) VCBM (Voltage-Controlled Bipolar MOS) Hybrid Bipolar-MOS Device |
